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內(nèi)置AMD Radeon HD 7970處理器拆解

作者:Arabinda Das 時間:2012-05-04 來源:電子產(chǎn)品世界 收藏

  長期以來,公司(一家位于加拿大的顯卡制造公司)一直都是那些想要換掉Nvidia的電腦游戲愛好者的希望。其實公司已于2000年發(fā)布過產(chǎn)品,至此以后,產(chǎn)品便成為的旗艦產(chǎn)品,并成為了Nvidia的GeForece的直接競爭者。

本文引用地址:http://www.butianyuan.cn/article/132047.htm

  系列產(chǎn)品最主要的,也是最創(chuàng)新的理念在于內(nèi)置3D加速器功能。2006年,ATI公司被AMD以將近50億美元的價格收購。從此,Radeon的顯卡家族成為了AMD家族的成員。現(xiàn)在看來,這樣高價的收購對AMD來說是一個不壞的選擇,而ATI公司同意被收購,也是一個不壞的舉措。兼并后,ATI公司得到了一家名譽(yù)極好的生產(chǎn)商的支持,而Nvidia卻沒有,同時,ATI公司還能夠繼續(xù)生產(chǎn)其主要產(chǎn)品。同樣地,AMD也能夠獲得更大的專利組合,并在消費類電子產(chǎn)品中占據(jù)更大的市場份額。AMD甚至還在其2010年前的顯卡上保留了ATI公司的標(biāo)志,并妥善維持了雙方的業(yè)務(wù)合作關(guān)系(包括與臺積電TSMC的合作關(guān)系)。

  ATI公司在生產(chǎn)Radeon系列產(chǎn)品的關(guān)鍵部件上非常依賴于臺積電(TSMC)。比如,ATI-GPU-Radeon HD 4670(代號為RV730,于2008年發(fā)行)的制造就采用的是臺積電(TSMC)的55納米工藝。該芯片使用氧化刪介電層以及多晶硅柵制成。RV730在146mm2芯片面積上容納了約5億個晶體管。同樣的,ATI公司的Radeon HD 4770(代號為RV740)則是采用臺積電(TSMC)的40納米工藝,并于2009年后期引入市場。HD 4770在138平方毫米的芯片面積內(nèi)包含了8.26億個晶體管,并使用了內(nèi)置鍺化硅,鍺化硅能夠大幅度提高PMOS晶體管的性能。同時,此程序首次使用了一個極低介電的金屬間介電層(IMD),該介電層的介電常數(shù)低于2.5?;谒羞@些生產(chǎn)歷史,新一代的Radeon顯卡HD 7970應(yīng)運而生。該產(chǎn)品在360平方毫米的芯片面積內(nèi),有超過十億個晶體管。Radeon HD 7970采用了鍺化硅和高介電金屬柵極(HKMG)制造。

  將HKMG運用到標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝中,有兩種常用的方法。先引入柵極或后引入柵極。此術(shù)語指的是在源/漏極植入之前或之后形成金屬柵極的工藝步驟。根據(jù)具體采用的方法以及熱預(yù)算,可確定逸出功以及覆蓋氧化層。

  Radeon HD 7970顯卡的主要是AMD處理器,名為Tahiti。圖1中顯示了該顯卡拆解后的大概外觀,以及Tahiti芯片在顯卡上的位置。此顯卡采用的是fan-sink散熱器進(jìn)行冷卻。該顯卡擁有來自Hynix的12個GDDR5 2GB DRAM部件,這些部件基于45-納米節(jié)點。圖形處理器采用的是倒裝球柵陣列封裝(FCBGA)?! ?/p>


圖1:AMD-RADEON HD 7970芯片拆解圖(點擊圖片可放大)

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關(guān)鍵詞: ATI 處理器 Radeon

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