英特爾擴(kuò)展嵌入式產(chǎn)品進(jìn)入串行閃存市場

中國北京, 2006年6月7日–英特爾（中國）有限公司今天宣布, 將擴(kuò)展其NOR閃存產(chǎn)品線，以滿足不斷增長的數(shù)十億美元嵌入式市場的需要。英特爾公司計劃引入3伏（3V）版本的英特爾StrataFlash®嵌入式存儲架構(gòu)。英特爾還透露,將以首款串行外圍接口（Serial Peripheral Interface, SPI）產(chǎn)品進(jìn)入迅速發(fā)展的串行閃存領(lǐng)域。

英特爾的上述行動體現(xiàn)了其對NOR嵌入式閃存市場的高度重視。嵌入式閃存目前已被廣泛應(yīng)用到各種消費(fèi)電子產(chǎn)品、工業(yè)應(yīng)用、個人電腦和有線通訊設(shè)備。行業(yè)分析人士預(yù)計，NOR嵌入式閃存市場規(guī)模(不包括手持設(shè)備) 在2006年將達(dá)到20~30億美元，其中，SPI閃存將成為增長最快的領(lǐng)域之一。

英特爾StrataFlash嵌入式存儲器家族新增的3V版本是3V嵌入式應(yīng)用的理想的解決方案，如機(jī)頂盒、基站、網(wǎng)絡(luò)設(shè)備。同時， 針對用戶多種應(yīng)用轉(zhuǎn)換的需求，StrataFlash產(chǎn)品家族也給開發(fā)者提供了多種存儲密度和產(chǎn)品封裝的選擇。目前3V版本處于抽樣檢測階段，預(yù)計將在今年第四季度投入生產(chǎn)。

英特爾之所以選擇以一款SPI閃存產(chǎn)品作為首次進(jìn)入串行閃存市場的敲門磚，是因為SPI閃存產(chǎn)品具有性能出眾且安全系數(shù)高的特點，這正好滿足了消費(fèi)類電子及電子計算市場的要求。串行閃存技術(shù)通過減少針腳數(shù)目和簡化主板設(shè)計來節(jié)省主板空間，并縮短產(chǎn)品推向市場的時間。英特爾還將提供符合工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的封裝引腳以及指令集，方便客戶加快設(shè)計周期。這些廣泛應(yīng)用于DVD、數(shù)字電視機(jī)、打印機(jī)、個人電腦等設(shè)備上的串行閃存產(chǎn)品現(xiàn)在正在進(jìn)行抽樣檢測，預(yù)計也將在第四季投入生產(chǎn)。

“業(yè)內(nèi)分析人士預(yù)計，NOR嵌入式閃存市場將繼續(xù)增長，從 2006到2010將翻一番。”英特爾公司副總裁兼閃存產(chǎn)品事業(yè)部總經(jīng)理Darin Billerbeck表示， “英特爾將不斷完善我們的產(chǎn)品線，在這些領(lǐng)域不斷擴(kuò)大我們的市場?！?