飛兆擴(kuò)大P通道PowerTrench? MOSFET產(chǎn)品線
—— 設(shè)備提供輕薄包裝和低閘(門極)漏電流
作者：
時(shí)間：2012-08-09
來(lái)源：電子產(chǎn)品世界
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幫助蜂窩手機(jī)及其他便攜式應(yīng)用設(shè)計(jì)人員改善電池充電和負(fù)載開(kāi)關(guān)，飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor) 經(jīng)擴(kuò)大了其 P 通道 PowerTrench® MOSFET 產(chǎn)品線 。
本文引用地址：http://butianyuan.cn/article/135563.htmFDMA910PZ 和 FDME910PZT 具備 MicroFET™ MOSFET 包裝，并按照它們的物理尺寸(2 X 2 mm 和 1.6 X 1.6 mm) 提供卓越熱性能，讓它們完全匹配開(kāi)關(guān)和線性模式應(yīng)用。 在 20V 的額定電壓下，設(shè)備提供低通路電阻。 為預(yù)防靜電放電 (ESD) 失敗，FDMA910PZ 和 FDME910PZT 裝有優(yōu)化穩(wěn)壓二極管保護(hù)設(shè)備，這也將使最大額定 IGSS 泄漏從 10μA 降至 1μA?！ ?/p>
特色及優(yōu)勢(shì)：
- 最大 RDS = 20 mΩ，需 VGS = -4.5V，ID = -9.4 A
- 最大 RDS = 24 mΩ，需 VGS = -2.5V，ID = -8.6 A
- 最大 RDS = 34 mΩ，需 VGS = -1.8V，ID = -7.2 A
- 低配置-配備 HBM ESD 保護(hù)的 MicroFET 2 X 2 mm 包裝最大為 0.8 mm級(jí)別 > 2.8kV 標(biāo)準(zhǔn)
PDME910PZT
- 最大 RDS= 24mΩ，需 VGS = -4.5 V，ID = -8A
- 最大 RDS= 31mΩ，需 VGS = -2.5 V，ID = -7A
- 最大 RDS= 45mΩ，需 VGS = -1.8 V，ID = -6A
- 低配置： 配備 HBM ESD 保護(hù)的 MicroFET 1.6 X 1.6 mm 薄包裝最大為 0.55 mm級(jí)別 > 2kV 標(biāo)準(zhǔn)
FDMA910PZ 和 FDME910PZT均不含鹵化物和氧化銻，并且為 RoHS 兼容。 兩種設(shè)備都提供低電壓安全操作，并適用于手機(jī)和便攜式設(shè)備。
評(píng)論