閃存與控制器結(jié)合 美光挑戰(zhàn)SSD技術(shù)高峰

　　在閃存業(yè)務(wù)方面若想獲得成功，你需要結(jié)合閃存產(chǎn)品和控制器技術(shù)，美光表示這兩樣，它都具備。

　　半導(dǎo)體制造商美光已經(jīng)一定的閃存基礎(chǔ)，提供SSD和PCIe連接的閃存卡，例如，被EMC VFCache采用的SLCP 320h。另外P320h的熱插拔版本已經(jīng)被戴爾服務(wù)器使用。

　　美光想要傳達(dá)的主要信息是，閃存技術(shù)將會變得更加復(fù)雜，需要緊密地集成控制器和NAND芯片。美光NAND解決方案副總裁Glenn Hawk表示：“那些精通NAND技術(shù)的公司，對于世界領(lǐng)先產(chǎn)品的開發(fā)有很大的優(yōu)勢。”換句話說，你需要了解你的控制器技術(shù)的具體閃存細(xì)節(jié)，美光最適合發(fā)展閃存，因?yàn)樗凶约旱拈W存產(chǎn)品。而其他的競爭者Fusion-io、LSI和OCZ則沒有。

　　美光憑借自己的NAND技術(shù)進(jìn)軍客戶端和企業(yè)端市場。

　　在客戶端SSD方面，美光利用SATA接口和例如來自Marvell的第三方控制器，構(gòu)建了C400入門級系統(tǒng)，并且把目光瞄準(zhǔn)了主流和高性能以及入門級部件。它將會在未來的幾個(gè)月推出20nm級(29nm-20nm范圍)SATASSD和之后的1Xnm(19-10nm范圍)。入門級產(chǎn)品聚焦于降低成本;而主流和性能部件則注重提升性能。

　　隨著時(shí)間的推移，SATA總線將會變得飽和，PCIe客戶端SSD的一些形式會得到發(fā)展。

　　在帶有內(nèi)部控制器的企業(yè)級方面，有P400m SATA產(chǎn)品和P410m SAS產(chǎn)品用于存儲陣列。P400M是一個(gè)25nm級產(chǎn)品，現(xiàn)在已經(jīng)通過了OEM認(rèn)證。對于美光來說PCIe是很有趣的，通過提供基于主機(jī)的管理來限制閃存性能和主機(jī)CPU循環(huán)，來提升競爭力。

　　美光更喜歡基于閃存驅(qū)動器的管理，通過使用基于ASIC的控制器提高閃存速度以及釋放主機(jī)服務(wù)器CPU周期來實(shí)現(xiàn)。

　　據(jù)我們了解在發(fā)展過程中，美光正在開發(fā)MLCPCIe閃存卡。

　　美光認(rèn)為，到2015-2016年間我們將看到PCIe和SAS體系架構(gòu)的融合以及新內(nèi)存技術(shù)的誕生?？梢钥隙ǖ氖牵拦鈱⒗^續(xù)通過使用3DNAND技術(shù)，從當(dāng)前的2Xnm過渡到1Xnm，推動容量和改善每GB成本。

　　美光也致力于提供一個(gè)共享閃存系統(tǒng)。據(jù)Stifel Nicolaus分析師Aaron Rakers稱，這將使用PCIeP320h閃存卡和收購Virtensys獲得的PCIe共享技術(shù)。他預(yù)計(jì)2013年中期能夠看到出貨收入，2013年末看到產(chǎn)品版本。

　　這樣的產(chǎn)品將會和EMC的Thunder、Violin Memory的網(wǎng)絡(luò)閃存陣列和使用Fusion-io的ION數(shù)據(jù)加速技術(shù)的系統(tǒng)相競爭。

　　美光正在告訴世界它將長期經(jīng)營閃存產(chǎn)品，并且相信它垂直的閃存產(chǎn)品和控制器技術(shù)集成賦予了美光一定的必要基礎(chǔ)。Fusion-io、LSI、OCZ、SanDisk和STEC小心，美光正在發(fā)力。