新聞中心

EEPW首頁 > 模擬技術 > 新品快遞 > Microsemi發(fā)布用于二次監(jiān)視雷達航空應用的RF晶體管

Microsemi發(fā)布用于二次監(jiān)視雷達航空應用的RF晶體管

—— 繼續(xù)擴展GaN on SiC產(chǎn)品組合
作者: 時間:2012-09-07 來源:電子產(chǎn)品世界 收藏

  致力于提供幫助功率管理、安全、可靠與高性能半導體技術產(chǎn)品的領先供應商公司(Microsemi Corporation,紐約納斯達克交易所代號:MSCC)宣布推出用于大功率航空交通管制(air traffic control, ATC)、二次監(jiān)視無線電 (secondary surveillance radio, SSR)應用的射頻()晶體管系列中的首款產(chǎn)品1011GN-700ELM。SSR用于發(fā)送信息至裝備有雷達應答器的飛機并收集信息,允許航空交通控制系統(tǒng)識別、跟蹤和測量特定飛機的位置。新型700W峰值1011GN-700ELM器件的工作頻率為1030MHz,并且支持短脈沖和長脈沖擴展長度信息(extended length message, ELM) 。新型晶體管基于碳化硅襯底氮化鎵(GaN on SiC) 技術,這項技術特別適合大功率電子應用。

本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/136556.htm

  公司集成系統(tǒng)產(chǎn)品部門副總裁David Hall表示:“我們積極推進下一代GaN on SiC功率器件的開發(fā),把握不斷增長的更高性能航天和軍事應用的機會。通過發(fā)布新產(chǎn)品,我們現(xiàn)在提供功率為250、500和700W的高可靠性GaN on SiC晶體管,用于二次監(jiān)控雷達搜索和跟蹤應用。我們還在研發(fā)多個其它GaN on SiC晶體管產(chǎn)品,將于今年稍后時間推出。”

  美高森美即將推出的產(chǎn)品包括多個用于L,S和C波段雷達系統(tǒng)的高脈沖功率GaN on SiC晶體管,還提供一整套GaN微波功率器件,包括S波段雷達型款:2729GN-150,2729GN-270,2731GN-110M,2731GN-200M,3135GN-100M,3135GN-170M,2735GN-35M和2735GN-100M。正在開發(fā)的數(shù)款新產(chǎn)品包括用于涵蓋960-1215 MHz的L波段航空電子產(chǎn)品;涵蓋1200-1400MHz的L波段雷達,以及涵蓋2.7-2.9 GHzS波段雷達的較大功率器件。

  關于1011GN-700ELM 晶體管

  1011GN-700ELM晶體管具有無與倫比的性能,包括700W峰值功率,21dB功率增益,以及1030 Mhz下70% 漏極效率,以期降低總體漏極電流和熱耗散,其它的主要產(chǎn)品特性包括:

  • 短脈沖和長脈沖間歇模式: ELM = 2.4 ms, 64%和6.4% LTD
  • 出色的輸出功率: 700W
  • 高功率增益: >21 dB最小值
  • 受控的動態(tài)范圍: 增量1.0dB,總計15 dB
  • 漏極偏壓 - Vdd: +65V

  使用GaN on SiC高電子遷移率晶體管(HEMT)實現(xiàn)的系統(tǒng)優(yōu)勢包括:

  • 采用簡化阻抗匹配的單端設計,替代需要附加合成的較低功率器件
  • 較高峰值功率和功率增益,用于減少系統(tǒng)功率放大級數(shù)和最終功率級合成
  • 單級配對提供帶有余量的1.3kW功率,四路結合提供4 kW的總體系統(tǒng)功率
  • 65V的高工作電壓,減小電源尺寸和直流電流需求
  • 極高的穩(wěn)健性,提高系統(tǒng)良率
  • 放大器尺寸比使用Si BJT或LDMOS工藝器件減小50%

  封裝和供貨

  1011GN-700ELM以單端封裝形式供貨,采用100%高溫金(Au)金屬化和焊錫密封引線,實現(xiàn)長期軍用可靠性。美高森美可借出演示單元供客戶使用數(shù)周,但鑒于產(chǎn)品成本的緣故,不會提供免費的樣品。



關鍵詞: 美高森美 RF

評論


相關推薦

技術專區(qū)

關閉