英特爾Haswell提升電池壽命和繪圖效能

　　在2012 IDF上，英特爾(Intel)介紹了首款采用其22nm三閘極(tri-gate)電晶體制程的嶄新架構(gòu)──新一代處理器Haswell，強(qiáng)調(diào)可強(qiáng)化電池使用壽命和繪圖效能。

　　英特爾架構(gòu)部門總經(jīng)理Dadi Perlmutter表示，雙核心和四核心的客戶端版本Haswell 將在今年四月隨PC出貨。他指出，該晶片的早期版本在一款原型系統(tǒng)上執(zhí)行時(shí)，功耗便已低于8W，遠(yuǎn)低于英特爾現(xiàn)有Sandy Bridge 處理器的17W。

　　Linley Group公司資深分析師兼《微處理器報(bào)告》編輯Kevin Krewell表示，新處理器對許多消費(fèi)者帶來的最直接影響，將會是更長的電池壽命和更好的繪圖性能，。然而，除非你去最佳化和編譯該晶片的強(qiáng)化AVX2程式碼，否則你無法得到這款處理器的大多??數(shù)真正優(yōu)勢。

　　該架構(gòu)適用的領(lǐng)域?qū)⒈扔⑻貭栔叭魏我豢钐幚砥鞫几鼘拸V，從無風(fēng)扇平板到高階伺服器都包含在內(nèi)。一種稱之為S0ix的全新超低主動功耗狀態(tài)進(jìn)一步推升了Haswell 的電源管理能力，并讓閑置功耗可再降低20倍。

　　“當(dāng)Haswell 平臺在處理少量任務(wù)時(shí)，它幾乎都是處在這個(gè)新的狀態(tài)之下”英特爾院士Per Hammarlund說。

　　Haswell 在高低功耗之間的轉(zhuǎn)換速度也比現(xiàn)有x86晶片快得多。另外，它還為Serial ATA, PCI Express和USB埠采用了新的低功耗模式。

　　Haswell 執(zhí)行功率小于8W，而Intel目前的處理器超過17W。

　　在繪圖部份，Haswell提供了全新的GT3版本，它復(fù)制了現(xiàn)有Ivy Bridge繪圖晶粒部份的關(guān)鍵部份。這讓它具備比現(xiàn)行英特爾CPU高出兩的繪圖效能。

　　新的AVX2指令包括一個(gè)融合的多倍址，如此一來該晶片便可在每周期執(zhí)行兩次，實(shí)現(xiàn)比Sandy Bridge架構(gòu)高出一倍的浮點(diǎn)性能。其他的新指令還有助于加密或簡化平行任務(wù)。

　　例如，該晶片支援兩種形式的事務(wù)型記憶體(transactional memory)，可用于大型資料庫的自動更新，這種能力對伺服器特別有用。

　　Haswell的快取記憶體和前一代晶片相同，但英特爾表示，為增加性能，該公司為L1和L2快取增加了一倍頻寬。

　　Krewell估計(jì)，現(xiàn)有的軟體將可因新的CPU獲得10%的性能增益。但采用新指令集的程式碼將可獲得更大優(yōu)勢。