新型IGZO TFT驅動的OLED面板首次在日本公開

　　日本半導體能源研究所在太平洋橫濱國際會展中心舉行的"FPD International 2012"(2012年10月31～11月2日)上，展示了13.5英寸和3.4英寸的OLED面板。該研究所在2012年6月曾于美國波士頓舉行的"SID 2012"上與夏普共同發(fā)表過相關技術，此次是首次在日本面向公眾公開。

　　13.5英寸的OLED面板

　　13.5英寸產品為3840×2160像素(4K×2K)，3.4英寸產品為960×540像素。精細度均高達326ppi。驅動元件采用氧化物半導體TFT，利用使IGZO層沿c軸方向結晶生長的"CAAC(C-Axis Aligned Crystal)"構造。采用在白色OLED元件上使用RGB三色彩色濾光片的方式實現了彩色顯示。OLED元件構造為從TFT基板相反一側提取光的頂部發(fā)光型。3.4英寸產品通過采用樹脂基板實現了柔性化。

　　3.4英寸的柔性OLED面板

　　據半導體能源研究所介紹，上述開發(fā)品均"通過反復試制提高了顯示特性"。驅動元件在半導體能源研究所的全資子公司Advanced Film Device Inc試制，OLED元件在半導體能源研究所試制。

　　3.4英寸試制品將OLED元件的元件構造由從TFT基板提取光的底部發(fā)光型變更為頂部發(fā)光型。重2g，厚度不到0.1mm。制作方法為，首先在玻璃基板上形成驅動元件和OLED元件等，然后再移到樹脂基板上，從而實現了柔性化。