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Altera與Northwest Logic開發(fā)RLDRAM 3存儲器接口解決方案

—— 支持在高端網絡應用中使用高性能RLDRAM 3存儲器以及前沿FPGA
作者: 時間:2012-11-15 來源:電子產品世界 收藏

  公司 (NASDAQ: ALTR)與高性能知識產權(IP)內核領先供應商Northwest Logic日前宣布,開始提供硬件成熟的1,600 Mbps低延時DRAM (RLDRAM) 3接口解決方案,可用于其高端28 nm Stratix V 。RLDRAM 3接口結合了的自動校準RLDRAM 3 UniPHY IP以及Northwest Logic的全功能RLDRAM 3控制器內核,顯著簡化高端網絡應用中RLDRAM 3之間的接口設計,同時提高存儲器吞吐量。聯(lián)合開發(fā)的RLDRAM 3存儲器接口解決方案在客戶設計中經過硬件驗證,客戶設計使用Micron公司的RLDRAM 3存儲器。

本文引用地址:http://www.butianyuan.cn/article/138931.htm

  ®的Stratix V系列FPGA經過優(yōu)化,支持Micron的下一代RLDRAM 3存儲器。Stratix V器件采用的存儲器體系結構降低延時,高效實現(xiàn)了FPGA業(yè)界最好的系統(tǒng)性能。Stratix V FPGA支持網絡設備生產商在互聯(lián)網上迅速高效的傳送視頻、語音和數(shù)據(jù)。

  Micron的DRAM市場副總裁Robert Feurle評論說:“FPGA為我們的客戶提供了高效的手段來優(yōu)化他們的網絡產品,以支持不斷增長的數(shù)據(jù)量,跟上網絡基礎設施的變化。Altera的高端Stratix V FPGA與RLDRAM 3存儲器相集成,其高端性能滿足了我們網絡客戶日益增長的存儲器要求。”

  Northwest Logic的RLDRAM 3控制器內核與Altera的UniPHY IP相結合,提供了完整的RLDRAM 3解決方案,包括高效的BL=2運算,減少由于工作在四分之一時鐘速率時出現(xiàn)的時序收斂問題,并支持多種RLDRAM 3存儲器配置。

  Northwest Logic總裁Brian Daellenbach說:“與Altera的密切合作保證我們交付成熟可靠的解決方案,這樣,我們共同的客戶能夠以最小投入迅速實現(xiàn)他們的系統(tǒng)。使用這一RLDRAM 3控制器內核,高端網絡應用開發(fā)人員獲得速度高達1,600 Mbps的高性能、低延時解決方案。”

  Altera元器件產品市場資深總監(jiān)Patrick Dorsey評論說:“Stratix V FPGA具有很好的RLDRAM 3接口,極大的增強了高端系統(tǒng)的延時和性能。我們的高性能Stratix V FPGA結合這一RLDRAM 3控制器內核,使我們能夠面向當今的高性能網絡應用提供最高效的解決方案。”

  供貨信息

  RLDRAM 3存儲器接口解決方案可以用于Altera的高性能Stratix V FPGA中。由Northwest Logic提供RLDRAM 3控制器內核以及全面的支持。



關鍵詞: Altera FPGA 存儲器

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