Spansion在NOR閃存市場的新進展

　　作為NOR閃存最重要的領(lǐng)導廠商之一，Spansion公司最近發(fā)布了其并行NOR閃存的最新產(chǎn)品，業(yè)界首款45nm單芯片8Gb NOR閃存。該系列產(chǎn)品是Spansion GL并行NOR產(chǎn)品線的最新成員，也是65nm Spansion GL-S產(chǎn)品系列的補充。Spansion公司NOR產(chǎn)品營銷副總裁Jackson Huang介紹說，Spansion GL-T 45nm 8Gb NOR閃存的讀取速度可達95MB/s，編程速度為1.8MB/s，是目前市面上讀取速度最快的產(chǎn)品同時也是目前市面上最高容量的NOR Flash，該產(chǎn)品主要針對消費、汽車、游戲、電信和工業(yè)等應(yīng)用。該系列產(chǎn)品正式量產(chǎn)時將由SMIC武漢工廠代工，Jackon Huang表示對產(chǎn)品的良率很滿意，在市場上非常有競爭力，并沒有透露具體的產(chǎn)品良率。

Spansion公司NOR產(chǎn)品營銷副總裁Jackson Huang

　　Spansion一如既往采用了Spansion的MirroBit技術(shù)來制造最新的GL-T系列NOR閃存。目前MirrorBit技術(shù)主要是使用Spansion的并行NOR閃存和SPI產(chǎn)品上，是Spansion獨有的技術(shù)，沒有直接授權(quán)給其它公司使用。Jackson Huang介紹說，和傳統(tǒng)的浮柵技術(shù)相比，MirrorBit主要優(yōu)點是：存儲單元的結(jié)構(gòu)更簡單，縱向上比浮柵更?。荒軌蚪档婉詈吓c干擾，從而提高性能和可靠性；易于實現(xiàn)生產(chǎn)。MirroBit實質(zhì)上是一種電荷陷阱技術(shù)，最早是在Spansion從AMD獨立出來之前，由AMD在2002年發(fā)布。有資料稱，最初開發(fā)該技術(shù)是為了降低NOR閃存的制造成本，提高NOR閃存的存儲密度，并與Intel的MLC（Multi-Level Cell）NOR技術(shù)在成本上相抗衡。MirrorBit和傳統(tǒng)浮柵最明顯的區(qū)別在于，MirrorBit技術(shù)使用了一個電荷陷阱層來替代傳統(tǒng)的浮柵，電荷陷阱層是絕緣體，而浮柵是導體。MirrorBit同時也利用了用于存儲電荷的氮化物不導電的特性，讓兩個bit可以共享同一個存儲單元。

MirrorBit技術(shù)示意圖


浮柵技術(shù)和MirrorBit對比

　　雖然Spansion最近在NOR閃存方面市場表現(xiàn)不錯，但是，放眼整個NOR閃存的總體市場，似乎有增長放緩、甚至是逐漸萎縮下滑的趨勢，特別是受到NAND閃存的沖擊，前景似乎面臨了重大挑戰(zhàn)。有資料表明，2010年使用NOR閃存的手機占14%，而現(xiàn)在已經(jīng)降至7%以下，被NAND取代了大量份額。對于NOR閃存市場的走勢，Jackon Huang認為：“我們認為NOR閃存市場還是相當穩(wěn)固的。NOR里面分成兩大類，一種是并行的，還有一種是SPI的NOR閃存。現(xiàn)在低階的并行NOR閃存逐漸被SPI所取代，但中高階的市場還是非常穩(wěn)固的，這也正是我們公司產(chǎn)品所針對的目標市場。”

　　筆者認為，NOR閃存的編程、擦寫速度是其最致命的短板。雖然和NAND閃存相比，NOR閃存的可靠性更高，但在分量極重的消費電子產(chǎn)品市場，面對NAND閃存的價格優(yōu)勢以及不可同日而語的寫入速度，NOR閃存被NAND閃存所取代，并不是不可能的事?，F(xiàn)在NOR閃存應(yīng)該做的，或許是守住那些對讀取速度和可靠性要求高，但不強調(diào)寫入速度的應(yīng)用領(lǐng)域，例如汽車、工業(yè)、醫(yī)療，或是消費電子的系統(tǒng)固件等。