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大尺寸屏幕手機(jī)背光面臨的主要問(wèn)題與解決方案

作者: 時(shí)間:2012-11-28 來(lái)源:電子產(chǎn)品世界 收藏

圖 2.20mA輸出的四模分?jǐn)?shù)電荷泵與電感升壓型背光驅(qū)動(dòng)效率曲線對(duì)比圖。

  從圖2中可以看到,輸入電壓在3.0~4.2V的手機(jī)應(yīng)用場(chǎng)合,電感升壓型背光驅(qū)動(dòng)的轉(zhuǎn)換效率(藍(lán)色曲線)和AW9670QNR的轉(zhuǎn)換效率(紫紅色曲線)基本上接近,平均效率都接近80%。若亮度變暗,電流減小,四模分?jǐn)?shù)倍電荷泵背光驅(qū)動(dòng)的轉(zhuǎn)換效率會(huì)進(jìn)一步提高,而電感升壓型背光驅(qū)動(dòng)的轉(zhuǎn)換效率卻隨電流變小而減小,圖3是10mA輸出時(shí)電感升壓型背光驅(qū)動(dòng)和AW9670QNR的轉(zhuǎn)換效率曲線對(duì)比圖,由于AW9670QNR大部分時(shí)間都是工作在高效率的1倍模式,轉(zhuǎn)換效率要明顯高于電感升壓型背光驅(qū)動(dòng)的轉(zhuǎn)換效率?! ?/p>本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/139460.htm


圖 3.10mA輸出的四模分?jǐn)?shù)電荷泵與電感升壓型背光驅(qū)動(dòng)效率曲線對(duì)比圖。

  散熱問(wèn)題

  手機(jī)基帶芯片的主頻不斷提高、增加的功能越來(lái)越多,手機(jī)的功耗越來(lái)越大,散熱問(wèn)題越來(lái)越成為手機(jī)設(shè)計(jì)人員在產(chǎn)品設(shè)計(jì)的初期需要認(rèn)真考慮的一個(gè)關(guān)鍵問(wèn)題。

  手機(jī)的熱設(shè)計(jì)需要對(duì)主要熱源器件進(jìn)行功耗分析、計(jì)算熱源器件的熱距離布局面積以及環(huán)境溫度分析等。PCB布局時(shí)需要遵循一些基本的熱設(shè)計(jì)原則,比如發(fā)熱較高的器件盡量不放在PCB的角落或者邊緣,增加高發(fā)熱器件下面的鋪地層面積、增加屏蔽罩等。

  由于手機(jī)屏幕的不斷增大,手機(jī)背光模塊的功耗占手機(jī)整體功耗的比例也越來(lái)越大,手機(jī)設(shè)計(jì)人員也需要在產(chǎn)品設(shè)計(jì)初期考慮背光驅(qū)動(dòng)模塊的熱設(shè)計(jì)。除了背光驅(qū)動(dòng)模的PCB熱設(shè)計(jì)考慮和選擇效率更高的背光驅(qū)動(dòng)芯片外,手機(jī)設(shè)計(jì)人員在選擇背光驅(qū)動(dòng)芯片時(shí)還需要特別背光驅(qū)動(dòng)芯片的封裝熱阻。

  芯片的封裝熱阻是衡量封裝將管芯產(chǎn)生的熱量傳導(dǎo)至電路板或周圍環(huán)境的能力的一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)。封裝熱阻和封裝材料(引線框架、模塑材料、管芯粘接材料)、封裝設(shè)計(jì)(管芯厚度、裸焊盤、內(nèi)部散熱過(guò)孔、所用金屬材料的熱傳導(dǎo)率)有關(guān)。封裝熱阻越大,則表示芯片內(nèi)部的熱不容易傳導(dǎo),芯片的溫度越高。芯片封裝熱阻一般用θJA來(lái)表示,單位是℃/W,芯片封裝熱阻的計(jì)算公式為:
  θJA=(TJ-TA)/PD
  其中TJ為芯片結(jié)溫,TA為環(huán)境溫度,PD為芯片內(nèi)部功耗。已知芯片的封裝熱阻,則可以根據(jù)芯片內(nèi)部的功耗和環(huán)境溫度算出芯片的結(jié)溫。例如一個(gè)芯片的封裝熱阻為100℃/W,環(huán)境溫度為25℃時(shí),若芯片內(nèi)部功耗為1W,則芯片的結(jié)溫和環(huán)境溫度差別是100℃,芯片結(jié)溫為125℃。

  背光驅(qū)動(dòng)芯片常見(jiàn)的封裝和封裝熱阻如表2:  

  由于沒(méi)有散熱片,SOT23-5L(6L)封裝的封裝熱阻要遠(yuǎn)大于其他四種封裝的封裝熱阻,芯片結(jié)溫明顯要高于其他四種封裝。比如在環(huán)境溫度為25℃時(shí),對(duì)于輸出驅(qū)動(dòng)10顆,輸出功率大致在0.6W左右(導(dǎo)通壓降3.0V,每路LED電流為20mA),若轉(zhuǎn)換效率為75%,則芯片內(nèi)部功耗為0.2W,四種封裝結(jié)溫分別為77℃、40.2℃、35.4℃和34℃。相比采用SOT23-5L(6L)封裝技術(shù)的電感升壓型背光,采用DFN2x2-8L的電感升壓型背光和并聯(lián)背光驅(qū)動(dòng)的芯片結(jié)溫優(yōu)勢(shì)更明顯。

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