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NOR市場仍有可為 需找尋平衡點(diǎn)

—— NOR技術(shù)仍在進(jìn)步
作者: 時間:2012-12-02 來源:電子信息產(chǎn)業(yè)網(wǎng) 收藏

  近日公司推出業(yè)界首款45nm單芯片8Gb(千兆)產(chǎn)品,這是繼美光(Micron)公司后,第二家對外宣稱推出45nm工藝節(jié)點(diǎn)的產(chǎn)品。這對在與NAND競爭中處于下風(fēng)的來說無疑是一大利好。這一技術(shù)對的市場發(fā)展會帶來怎樣的助推力?今后NOR與NAND閃存的市場格局是否會發(fā)生變化成為業(yè)界關(guān)注熱點(diǎn)。

本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/139614.htm

  NOR技術(shù)仍在進(jìn)步

  截至2020年,每個用戶擁有的聯(lián)網(wǎng)設(shè)備數(shù)量預(yù)計將達(dá)到7臺左右,實(shí)現(xiàn)具備豐富圖形元素的功能和快速無縫的設(shè)備間連接。在此過程中,閃存“功不可沒”。NAND和NOR各有所長,但NOR的市場規(guī)模仍難以與NAND抗衡。

  此次憑借獨(dú)有的MirrorBit技術(shù),開發(fā)引領(lǐng)業(yè)界NOR閃存容量的新產(chǎn)品,將令NOR閃存在網(wǎng)絡(luò)互連和智能設(shè)備領(lǐng)域得到越來越多的應(yīng)用。公司NOR閃存產(chǎn)品營銷副總裁Jackson Huang指出:“下一代游戲機(jī)將增強(qiáng)多點(diǎn)觸控體驗(yàn),這就對軟件和處理能力提出了更高的要求,進(jìn)而要求支持快速讀取的閃存產(chǎn)品。此外,醫(yī)療監(jiān)控、工廠自動化和智能能源等工業(yè)應(yīng)用對容量和可靠性的需求與日俱增,NOR閃存在這些市場的需求也將走高。”

  北京兆易創(chuàng)新科技有限公司常務(wù)副總裁何衛(wèi)也表示:“隨著市場需求的進(jìn)一步加大和應(yīng)用領(lǐng)域的進(jìn)一步拓展,NOR閃存技術(shù)還將在全球范圍內(nèi)進(jìn)一步獲得發(fā)展。有了45nm的技術(shù),NOR閃存的應(yīng)用也必將有新的契機(jī)。”

  就市場目前的需求量來看,NAND比NOR要大很多,從而推進(jìn)了相關(guān)企業(yè)的技術(shù)演進(jìn),使得NAND工藝技術(shù)比NOR更加先進(jìn)。對于NOR廠商來說,要生存就要與時俱進(jìn)。何衛(wèi)表示,NOR閃存技術(shù)自身必須不斷地進(jìn)步,才有可能滿足市場對大容量代碼存儲的需求,否則系統(tǒng)廠商只有選容量更大的NAND閃存。僅從容量角度看,NAND具有成本低的優(yōu)勢,然而并不是所有的系統(tǒng)都需要大容量,電子產(chǎn)品多樣化會對閃存有多種容量的需求。NOR不具有取代NAND的成本優(yōu)勢,NAND也不具備NOR在性能方面某些獨(dú)特的優(yōu)勢,兩者會按照自己的道路,各自獨(dú)立地發(fā)展。

  業(yè)內(nèi)專家莫大康認(rèn)為,NOR市場仍將處在平穩(wěn)的狀態(tài)中,不會有太多增長,但是也不會下降,全球NOR市場規(guī)模仍在35億~40億美元范圍。而IHS iSuppli公司高級分析師顧文軍則認(rèn)為,NOR市場規(guī)模會逐漸下降,他表示:“由于移動互聯(lián)市場的快速發(fā)展以及受NAND競爭的影響,NOR市場開始下降,并且NOR領(lǐng)域的幾大廠家表現(xiàn)不是很理想,進(jìn)一步加速了NOR的衰退。”

  需尋求平衡點(diǎn)

  為搶占更大的市場份額,NOR閃存廠商除在不斷地追求更高的工藝技術(shù),也在積極拓展在NAND市場的發(fā)展空間。

  Spansion的戰(zhàn)略是“左右逢源”,除NOR閃存之外,也將更多地專注于NAND閃存在工業(yè)和消費(fèi)類的應(yīng)用。Spansion首席執(zhí)行官兼董事John Kispert指出,第三季度公司NAND閃存的營收為200萬美元,預(yù)計在第四季度會增長至1500萬美元,到2013年每一季度的營收都會增長1500萬美元左右。

  何衛(wèi)也指出:“兆易創(chuàng)新在未來還會繼續(xù)耕耘在閃存領(lǐng)域,開發(fā)4x nm NOR閃存技術(shù)與產(chǎn)品,同時公司還將積極開拓海外市場,開發(fā)車用電子產(chǎn)品等新的應(yīng)用領(lǐng)域。積極布局移動電子終端設(shè)備用新型NAND閃存技術(shù)與產(chǎn)品的開發(fā)。”

  隨著工藝節(jié)點(diǎn)不斷進(jìn)步和市場催生新的需求,存儲器廠商也需要隨需而變,爾必達(dá)的破產(chǎn)保護(hù)就為存儲器業(yè)帶來一個警示。顧文軍認(rèn)為:“未來存儲器市場需要垂直整合,有自己的生產(chǎn)線,通過大規(guī)模生產(chǎn)來降低成本。”

  莫大康表示:“在摩爾定律推動工藝技術(shù)越來越高的情況下,市場的競爭決定產(chǎn)品的價格將越來越低。一方面是技術(shù)的挑戰(zhàn),另一方面是成本的壓力,這是企業(yè)今后面臨的一個巨大考驗(yàn),企業(yè)需要從中找到一個平衡點(diǎn)。需要注意的是,企業(yè)也需要冷靜地看待工藝技術(shù),因?yàn)閷τ谙M(fèi)者來說,他們不會關(guān)心用的是多少納米的工藝技術(shù),而更關(guān)心產(chǎn)品的速度、功能等更為直觀的感受。”

  在追隨摩爾定律推動工藝技術(shù)不斷走向極致的時候,業(yè)界需要跳出追隨摩爾定律的慣性思維。顧文軍指出,廠商需要注重PCM相變內(nèi)存、磁阻隨機(jī)存取內(nèi)存(MRAM)和電阻式隨機(jī)存取內(nèi)存(RRAM)等的出現(xiàn),PCM相變存儲器可進(jìn)入功能手機(jī)之中擠占NOR芯片的市場,而且隨著未來價格下降,PCM甚至可以用于入門級手機(jī)。目前PCM開始向無線領(lǐng)域出貨,這對NOR和NAND尤其是前者也會帶來不小的沖擊。

  可以跟隨 但不盲從

  慕容素娟

  閃存行業(yè)是一個特殊和極具挑戰(zhàn)的領(lǐng)域,投資成本大,工藝要求高,行業(yè)競爭激烈,市場變化多端,所以進(jìn)入閃存行業(yè)的企業(yè)首先都是膽子大、有實(shí)力的企業(yè),比如:爾比達(dá)、三星、美光、Spansion等巨頭。

  然而,經(jīng)過閃存市場的一陣“風(fēng)雨交加”之后,有的企業(yè)消失、有的企業(yè)沒落、有的還在掙扎、有的則越來越強(qiáng)。因此,在閃存市場,僅靠膽子大、有實(shí)力還不夠,還需要很深的功夫,才能在充滿激蕩的閃存領(lǐng)域博得一席之地。

  在摩爾定律的推動下,閃存技術(shù)工藝不斷地提升,而相應(yīng)地,投資也會越來越大,但是閃存產(chǎn)品的價格卻是在不斷地降低,如何在工藝技術(shù)和產(chǎn)品價格中尋求平衡點(diǎn),則是當(dāng)下閃存企業(yè)面臨的又一個考驗(yàn)。

  在這種情況下,筆者覺得閃存企業(yè)不應(yīng)被摩爾定律束縛。當(dāng)前,如果繼續(xù)跟隨被視為行業(yè)“定律”的摩爾定律前行,企業(yè)勢必會被逼上梁山,騎虎難下。當(dāng)存儲器廠商都在追求閃存工藝技術(shù)的時候,PCM相變存儲器的出現(xiàn),無疑是在工藝技術(shù)日趨極致的當(dāng)下,給了業(yè)界一種全新的思路--及時地跳出思維慣性,不被摩爾定律所牽制,閃存企業(yè)需要有這樣的能力。

  要想在閃存市場活下來,活得好,不僅需要實(shí)力和魄力,還需要強(qiáng)大的判斷力和決策力。

  對于整個電子信息產(chǎn)業(yè)來說,也要拓展思維,不要盲從。在提升硬件的同時,也可另辟蹊徑,通過軟件的提升,推動產(chǎn)品整體性能的優(yōu)化。比如,使用DRAM的蘋果iPad開啟了平板電腦革命,但蘋果iPad的DRAM容量卻是最小,iPad 2的容量是528MB。相比之下,市場上另有5款平板電腦的容量都是1024MB,還有1款DRAM容量是1088MB。其他廠商增加額外的DRAM,只是為了增強(qiáng)自己產(chǎn)品的吸引力,但DRAM容量較高也不能保證產(chǎn)品就會獲得成功。蘋果DRAM容量較小并沒有影響蘋果iPad的市場表現(xiàn)。蘋果iPad制勝之道,還在于軟件上的到位。

  競爭的目的是為了爭取更多的客戶,所以應(yīng)回歸源頭,要意識到“用戶體驗(yàn)”重于“工藝技術(shù)”。對于用戶來說,不會關(guān)心多少納米等工藝技術(shù),用戶最關(guān)注的是產(chǎn)品的功能怎樣,速度如何,操作是否便捷等等更為直觀的功能。所以,當(dāng)企業(yè)在追求工藝技術(shù)時,應(yīng)回歸到源頭,從“用戶體驗(yàn)”入手反推產(chǎn)品的研發(fā)和生產(chǎn)以及企業(yè)的市場定位和策略,這樣才能更有針對性地對接市場、對接用戶。



關(guān)鍵詞: Spansion 閃存 NOR

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