SIP、3D IC和FinFET將并存

　　三者未來(lái)會(huì)并行存在，各有千秋，不會(huì)出現(xiàn)誰(shuí)排擠誰(shuí)的現(xiàn)象?！　?/p>本文引用地址：http://www.butianyuan.cn/article/141901.htm

 

　　明導(dǎo)(Mentor)電子科技有限公司亞太區(qū)技術(shù)總監(jiān)李潤(rùn)華稱，從系統(tǒng)角度看，SIP(系統(tǒng)封裝)和3D IC通過(guò)堆疊，可以把更多的芯片堆疊在一起，在某種程度上，以前是蓋一層樓，現(xiàn)在是蓋三層樓，可以提升空間密度。另外，SIP和3D IC可以在同一個(gè)設(shè)計(jì)上衍生出更多不同的產(chǎn)品，這對(duì)于IC設(shè)計(jì)企業(yè)是另外一個(gè)形成差異化的可選項(xiàng)。例如手機(jī)有不同的內(nèi)存版本，16G，32G、64G……，將來(lái)芯片也可能通過(guò)這種方式去做不同的堆疊，形成差異化。

　　SIP目前還比較容易被市場(chǎng)接受。因?yàn)镾IP的生態(tài)系統(tǒng)比較成熟，需要牽涉的設(shè)計(jì)上的調(diào)整也較小。關(guān)于3D IC，新的設(shè)計(jì)會(huì)比較容易去采用，好處是可以把堆疊做到更高的效率，因?yàn)榭梢园研酒托酒g的連接做更好的優(yōu)化。FinFET是在一個(gè)晶體管上做3D化，好處是空間效率更高，器件可以更小;但是在工藝上實(shí)現(xiàn)較難，需要對(duì)芯片和晶圓片有較大的技術(shù)突破。