新聞中心

EEPW首頁(yè) > 網(wǎng)絡(luò)與存儲(chǔ) > 業(yè)界動(dòng)態(tài) > 鎂光發(fā)布尺寸小25%的128Gb NAND閃存

鎂光發(fā)布尺寸小25%的128Gb NAND閃存

作者: 時(shí)間:2013-02-16 來(lái)源:cnBeta.COM 收藏

  閃存密度越來(lái)越高帶來(lái)的是更大容量的設(shè)備,但是如果要做到更小尺寸怒,那非得減少閃存芯片的面積不可。今天宣布推出全球最小的128Gb 閃存芯片,采用20納米制程,TLC閃存技術(shù),裸片面積只有146平方毫米,比目前的MLC芯片尺寸小25%。

本文引用地址:http://www.butianyuan.cn/article/141948.htm

  TLC閃存每單元存儲(chǔ)3bit數(shù)據(jù),它更高的密度的代價(jià)是相對(duì)較低的寫(xiě)入速度和較差的耐久力,目前只有三星840系列固態(tài)硬盤(pán)使用這種技術(shù)。

  不過(guò)也并沒(méi)有將其用在SSD上的打算,128Gb的目前只會(huì)用于可移動(dòng)存儲(chǔ)市場(chǎng),例如SD和USB閃存驅(qū)動(dòng)器,這樣可以進(jìn)一步提升這些設(shè)備的容量。

  預(yù)計(jì)美光將在下一季度開(kāi)始量產(chǎn)這款芯片。



關(guān)鍵詞: 鎂光 NAND

評(píng)論


相關(guān)推薦

技術(shù)專(zhuān)區(qū)

關(guān)閉