聯華電子加入IBM芯片聯盟 共同開發(fā)10奈米制程技術

　　聯華電子與IBM日前(13日)共同宣布，聯華電子將加入IBM技術開發(fā)聯盟，共同開發(fā)10奈米CMOS制程技術。

　　IBM半導體研發(fā)副總Gary Patton表示：「IBM聯盟成立至今已逾十年，聯盟伙伴可整合運用我們的專業(yè)知識，團隊研究合作與創(chuàng)新的技術研發(fā)，藉此滿足對先進半導體應用產品與日俱增的需求。聯華電子的加入，將使聯盟的實力更加強大。」

　　聯華電子執(zhí)行長顏博文表示：「IBM為眾所公認的半導體技術領導者。聯華電子十分高興與IBM在先進制程領域攜手合作，貢獻我們多年來開發(fā)高競爭力制造技術所累積的經驗。身為世界頂尖的晶圓專工廠之一，聯華電子肩負著適時推出尖端制程，以實現客戶次世代芯片設計的使命與承諾。我們期待與IBM密切合作，借重其深厚的技術專業(yè)來縮短我們10奈米與FinFET 的研發(fā)周期，為聯華電子與我們的客戶締造雙贏?！?/p>

　　聯華電子與IBM兩家公司此次的協(xié)議，拓展了雙方于2012年簽訂之14奈米FinFET合作協(xié)議。擁有IBM的支持與know-how，聯華電子將可持續(xù)提升其內部自行研發(fā)的14奈米FinFET技術，針對行動運算與通訊產品，提供富競爭力的低耗電優(yōu)化技術。雙方計劃開發(fā)10奈米制程基礎技術，以滿足聯華電子客戶的需求。聯華電子將指派工程團隊加入位于美國紐約州阿爾巴尼(Albany, New York)的10奈米研發(fā)計劃，而聯華電子14奈米FinFET與10奈米未來的制造，則將在聯華電子位于臺灣南科的研發(fā)中心進行。