UPD78F9211/9212/9210 自寫方式編程
注 如果絳脅煌于以上的命令r,命令被立即K止,并且Flash 釤寄存器(PFS)的第1 或2 位(WEPRERR 或VCERR)被置1。
(5)Flash 地址指H 和L(FLAPH 和FLAPL)
Flash 地址指H 和L(FLAPH 和FLAPL)用于在自程模式下指定FLASH 的擦除、入、C的_始地址。
FLAPH 和FLAPL 由燈鶻M成,程命令不絳r,它f增直到cFLAPHC 和FLAPLC 的值相等。因此,程序命令絳r,PLAPHC 和FLAPLC 的值需要重新O置。
Flash 地址指H 和L(FLAPH 和FLAPL)可通^1 位或8 位操作指令碓O(shè)置。
}位後寄存器值不確定。
(6) Flash 地址指H 比^寄存器和FLASH 地址指L 比^寄存器(FLAPHC和FLAPLC)在自程模式下校FLASH 存ζr,F(xiàn)LASH 地址指比^寄存器H 和L(FLAPHC 和FLAPLC)用于指定內(nèi)部序列操作的地址。
將FLAPH 的值xoFLAPHC。將FLASH 存ζ饜r的最末端地址xoFLAPLC。
FLAPHC 和FLAPLC 使用1 位或8 位存ζ韃僮髦噶碓O(shè)定。
}位後FLW寄存器值置00H。
注意事 1. 在自程命令絳幸鄖埃確保FLASH 地址指H(FLAPH)的第4 ~ 7 位和FLASH 地址指H 比^寄存器(FLAPHC)清零。如果絳兇躍程命令r@些
位的值1。
2. M行block 擦除、校、空白zyr,將block 的序號(cFLAPH 的值相同)x值oFLAPHC。
3. block 擦除完成rFLAPLC 要清零,block 空白zy完成後FLAPLC要OFFH。
(7)Flash _寄存器(FLW)
在入FLASH 之前,先存υFLW 存內(nèi)。
寄存器值可用1 位或8 位存Σ僮髦噶鈐O置。
}位後FLW寄存器值置00H。
(8)保o字
保o字用于指定禁止入或擦除^域。指定的保o^域b在自程模式下有效。因受保o^域在自程模式下是不可用的,所以保o^域內(nèi)的是受保o的。
評論