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閃存微控制器的“新閃存”架構(gòu)技術(shù)簡介

作者: 時間:2012-10-06 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/148365.htm

嵌入式微越來越多樣化,可以滿足嵌入式系統(tǒng)市場的應(yīng)用需求,而主流已經(jīng)從傳統(tǒng)的掩模ROM微轉(zhuǎn)向了內(nèi)置(可擦寫的非易失性只讀存儲器)的

微控制器目前有兩種主要應(yīng)用:CPU程序代碼存儲和包含用戶信息和更新信息的數(shù)據(jù)存儲。這兩種應(yīng)用所需的屬性各不相同:程序代碼存儲的編程/擦寫次數(shù)少,而數(shù)據(jù)存儲的編程/擦寫次數(shù)多。采用1晶體管型浮柵單元,富士通半導(dǎo)體可以提供這兩種不同的屬性,并能實(shí)現(xiàn)高可靠性:程序代碼存儲能夠?qū)?shù)據(jù)保存20年;數(shù)據(jù)存儲能夠擦寫10萬次。

近年來,由于嵌入式系統(tǒng)的性能越來越高,導(dǎo)致市場對于能夠降低環(huán)境負(fù)荷的生態(tài)的需求也日益增加。針對這些市場需求開發(fā)閃存宏成為一個挑戰(zhàn)。盡管通過使用突發(fā)模式可以實(shí)現(xiàn)加速,但是由于存在“等待時間”,仍然會有很多問題,因?yàn)?ldquo;等待時間”由不同的命令產(chǎn)生,而閃存微控制器是進(jìn)行實(shí)時處理的,因此會導(dǎo)致性能越來越差。

“新閃存”

將富士通半導(dǎo)體專有的高速存儲器存取——快速循環(huán)隨機(jī)存取存儲器(FCRAM)電路技術(shù)應(yīng)用于富士通半導(dǎo)體高度可靠的NOR型閃存技術(shù),可以實(shí)現(xiàn)“新閃存”,由此產(chǎn)生兼具高可靠性和低功耗雙重性能的閃存宏。

圖1 顯示了“新閃存”技術(shù)的特點(diǎn)。

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圖1 “新閃存”架構(gòu)技術(shù)的特點(diǎn)

有了“新閃存”架構(gòu)技術(shù),富士通半導(dǎo)體可以通過優(yōu)化單元陣列降低驅(qū)動負(fù)載,這是FCRAM電路技術(shù)的特點(diǎn)。還通過一種自行設(shè)計的電源電路技術(shù)和數(shù)據(jù)讀取方法的加速,實(shí)現(xiàn)了訪問字線電壓的高速啟動。通過這些設(shè)計,存取速度可以高達(dá)10ns/MHz(傳統(tǒng)產(chǎn)品的2.5倍),而工作電流損耗則低至9μA/位(傳統(tǒng)產(chǎn)品的三分之一)。

生態(tài)閃存微控制器有助于進(jìn)一步降低環(huán)境負(fù)荷

一般來說,電流損耗會隨著工作頻率的增加而變大。追求高頻會導(dǎo)致工作電流損耗的增加及環(huán)境負(fù)荷的加大。

圖2顯示了“新閃存”架構(gòu)技術(shù)在閃存微控制器中的應(yīng)用實(shí)例。

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圖2 內(nèi)置“新閃存”架構(gòu)的生態(tài)微控制器實(shí)例

即便嵌入式微控制器的性能(隨機(jī)存取)提升了兩倍,工作電流仍可以被壓縮三分之二,因此可以同時實(shí)現(xiàn)性能提升和生態(tài)保護(hù)。

未來發(fā)展

圖3顯示了富士通半導(dǎo)體的閃存技術(shù)路線圖。

圖3 閃存技術(shù)路線圖

富士通半導(dǎo)體將繼續(xù)開發(fā)工作,把超低漏電工藝和高熱阻技術(shù)列入開發(fā)計劃(這是正在開發(fā)的環(huán)保技術(shù)),并且將“新閃存”架構(gòu)閃存宏作為富士通半導(dǎo)體生態(tài)技術(shù)的核心。通過提供采用這些生態(tài)技術(shù)的閃存微控制器,富士通半導(dǎo)體可以為汽車市場提供高可靠性、高溫支持和高速運(yùn)行,從而降低嵌入式系統(tǒng)的環(huán)境負(fù)荷。



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