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基于VHDL的SDRAM接口設(shè)計

作者: 時間:2011-11-15 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏
3.1 讀操作時序

本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/150060.htm

  當(dāng)數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)移方向為從到雙口RAM時,如果讀操作行地址未發(fā)生變化,可以滿足每時鐘周期輸出一次數(shù)據(jù)的高速操作。但是當(dāng)SDRAM行地址發(fā)生變化時,必須返回預(yù)充狀態(tài),由于從SDRAM的讀命令輸入到SDRAM數(shù)據(jù)輸出之間有2個時鐘周期的延時,所以判斷下一讀操作的行地址是否發(fā)生變化必須提前兩個周期判斷。讀操作部分的狀態(tài)轉(zhuǎn)移圖如圖2所示。

  3.2 SDRAM寫操作時序

  

  當(dāng)數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)移方向為從雙口RAM到SDRAM時,如果SDRAM寫操作行地址未發(fā)生變化,可以滿足每時鐘周期寫入一次數(shù)據(jù)的高速操作。但是當(dāng)SDRAM行地址發(fā)生變化時,必須返回預(yù)充狀態(tài),由于從SDRAM的寫命令輸入到SDRAM數(shù)據(jù)輸入之間沒有延時,所以判斷下一寫操作的行地址是否發(fā)生變化無需提前判斷,因此寫操作狀態(tài)轉(zhuǎn)移圖比讀操作部分簡單。寫操作部分的狀態(tài)轉(zhuǎn)移圖如圖3所示。

  

  在所的讀、寫操作時序中,SDRAM地址、數(shù)據(jù)、控制信號和RAM部分的地址、數(shù)據(jù)、讀寫控制信號均由有限狀態(tài)機產(chǎn)生,因此在狀態(tài)轉(zhuǎn)移過程中還必須仔細考慮RAM部分輸出控制信號的時序關(guān)系。

  4 實現(xiàn)

  硬件描述語言(Very=High Speed IC Hardware Description Language)是一種應(yīng)用于電路設(shè)計的高層次描述語言,具有行為級、寄存器傳輸級和門級等多層次描述,并且具有簡單、易讀、易修改和與工藝無關(guān)等優(yōu)點。目前語言已經(jīng)得到多種EDA工具的支持,綜合工具得到迅速發(fā)展,VHDL語言的行為級綜合也已經(jīng)得到支持和實現(xiàn),因此利用VHDL語言進行電路設(shè)計可以節(jié)約開發(fā)成本,縮短周期。在VHDL語言輸入中也有多種形式,例如可以支持直接由狀態(tài)轉(zhuǎn)移圖生成VHDL語言。因此在設(shè)計SDRAM狀態(tài)轉(zhuǎn)移圖后,可以直接產(chǎn)生VHDL程序,在功能仿真正確后,可以進行綜合、FPGA布局布線和后仿真。

  以上介紹了一種應(yīng)用于通用微處理器系統(tǒng)中的SDRAM與雙口RAM之間的數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)移控制電路,由VHDL語言設(shè)計,用Xilinx公司4000系列FPGA實現(xiàn),目前該電路硬件實現(xiàn)和微處理器系統(tǒng)已經(jīng)通過驗證,證明可將SDRAM作為高速、大容量存儲器應(yīng)用在簡單電子系統(tǒng)中。


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