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鐵電存儲(chǔ)器FM18L08在DSP系統(tǒng)中的應(yīng)用

作者: 時(shí)間:2011-08-11 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

1 引 言

本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/150363.htm

  鐵電(FRAM)是Ramtron公司近年推出的一款掉電不揮發(fā),它結(jié)合了高性能和低功耗操作,能在沒(méi)有電源的情況下保存數(shù)據(jù)。FRAM克服了EEPROM和FLASH寫入時(shí)間長(zhǎng)、擦寫次數(shù)低的缺點(diǎn),其價(jià)格又比相同容量的不揮發(fā)鋰電SRAM低很多,已在地鐵、抄表及IT工業(yè)中得到了廣泛的。

  TMS320VC5402(以下簡(jiǎn)稱C5402)是美國(guó)德州儀器公司(TI)推出的一款性價(jià)比極高的16bit定點(diǎn)數(shù)字信號(hào)處理器(),操作速率可達(dá)100MIPS,它豐富的內(nèi)部資源配置為用戶構(gòu)造提供了很大便利,已經(jīng)在通信、電子、圖象處理等領(lǐng)域得到了廣泛的。但是,C5402是RAM型器件,掉電后不能保持任何用戶信息,所以需要用戶把程序代碼放在不揮發(fā)的內(nèi),在系統(tǒng)上電時(shí),通過(guò)執(zhí)行自行引導(dǎo)裝載(Bootloader)程序?qū)⒋鎯?chǔ)在外部媒介中的代碼裝載到C5402高速的片內(nèi)存儲(chǔ)器或系統(tǒng)中的擴(kuò)展存儲(chǔ)器內(nèi),裝載成功后自動(dòng)去執(zhí)行代碼,完成自啟動(dòng)?;趯?shí)踐經(jīng)驗(yàn),本文介紹了一種并行接口鐵電存儲(chǔ)器的特點(diǎn),同時(shí)還分析了C5402 并行引導(dǎo)裝載模式的特點(diǎn),給出了一種基于鐵電存儲(chǔ)器和C5402接口的設(shè)計(jì)方案, 實(shí)現(xiàn)了基于并行引導(dǎo)裝載模式的脫機(jī)獨(dú)立運(yùn)行系統(tǒng)設(shè)計(jì),并且該設(shè)計(jì)方案已成功的到一種語(yǔ)音門鎖系統(tǒng)中。

  2

  FRAM的特點(diǎn) Ramtron’s FRAM存儲(chǔ)器技術(shù)的核心是微小的鐵電晶體集成到記憶體單元,以至于它能象快速的不揮發(fā)RAM一樣操作。當(dāng)一個(gè)電場(chǎng)被加到鐵電晶體,中心原子順著電場(chǎng)的方向移動(dòng)。 移去電場(chǎng),中心原子保持不動(dòng),保存記憶體的狀態(tài), FRAM 記憶體不需要定期刷新,掉電后立即保存數(shù)據(jù)。 FM18L08是Ramtron公司近年推出的一款存儲(chǔ)容量為32kw8bits FRAM,其主要特點(diǎn)如下:3.0-3.65V單電源供電;并行接口;提供SOIC和DIP兩種封裝;功耗低,靜態(tài)電流小于15uA,讀寫電流小于10mA;非揮發(fā)性,掉電后數(shù)據(jù)能保存10年;讀寫無(wú)限次。 FM18L08引腳結(jié)構(gòu)如圖1: /CE:片選 /WE:寫使能 /OE:輸出使能 A0-A14:地址端 DQ0-DQ7:數(shù)據(jù)端 VDD:電源 VSS:地

  

FM18L08引腳圖

  


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