flash接口電路的實現(xiàn)

　　1.3 以HY29LV160為例的Flash接口電路的使用方法

　　下面，我們使用HY29LV160來構(gòu)建存儲系統(tǒng)。由于ARM微處理器的體系結(jié)構(gòu)支持8位/16位/32位的存儲器系統(tǒng)，對應的可以構(gòu)建8位、16位、32位的Flash存儲器系統(tǒng)。32位的存儲器系統(tǒng)具有較高的性能，而16位的存儲器系統(tǒng)則在成本及功耗方面占有優(yōu)勢，而8位的存儲器系統(tǒng)現(xiàn)在已經(jīng)很少使用。下面主要介紹16位和32位的Flash存儲器系統(tǒng)的構(gòu)建。

　　1.3.1.16位的FLASH存儲器系統(tǒng)

　　在大多數(shù)的系統(tǒng)中，選用一片16位的Flash存儲器芯片（常見單片容量有1 MB 、2MB 、4MB 、8MB 等）構(gòu)建16位Flash的存儲系統(tǒng)已經(jīng)足夠，在此采用一片HY29LV160構(gòu)建16位的Flash存儲器系統(tǒng)，其存儲容量為2MB。Flash存儲器在系統(tǒng)中通常用于存放程序代碼，系統(tǒng)上電或復位后從此處獲取指令并開始執(zhí)行，因此，應將存有程序代碼的Flash存儲器配置到ROM/SRAM/FLASH Bank0，即將S3C4510B的nRCS0>（Pin75）接至HY29LV160的CE＃端。

　　HY29LV160的RESET＃端接系統(tǒng)復位信號；

　　OE＃端接S3C4510B的nOE（Pin72）；

　　WE＃端S3C4510B的nWBE0>（Pin100）；

　　BYTE＃上拉，使HY29LV160工作在字模式（16位數(shù)據(jù)寬度）；

　　RY/BY#指示HY29LV160編程或擦除操作的工作狀態(tài)，但其工作狀態(tài)也可通過查詢片內(nèi)的相關(guān)寄存器來判斷，因此可將該引腳懸空；

　　地址總線[A19～A0]與S3C4510B的地址總線[ADDR19～ADDR0]相連；

　　16位數(shù)據(jù)總線[DQ15~DQ0]與S3C4510B的低16位數(shù)據(jù)總線[XDATA15~XDATA0]相連。

　　注意此時應將S3C4510B的B0SIZE[1:0]置為“10”，選擇ROM/SRAM/FLASH Bank0為16位工作方式。

　　1.3.2. 32位的FLASH存儲器系統(tǒng)

　　作為一款32位的微處理器，為充分發(fā)揮S3C4510B的32性能優(yōu)勢，有的系統(tǒng)也采用兩片16位數(shù)據(jù)寬度的Flash存儲器芯片并聯(lián)（或一片32位數(shù)據(jù)寬度的Flash存儲器芯片）構(gòu)建32位的Flash存儲系統(tǒng)。其構(gòu)建方式與16位的Flash存儲器系統(tǒng)相似。

　　采用兩片HY29LV16并聯(lián)的方式構(gòu)建32位的FLASH存儲器系統(tǒng)，其中一片為高16位，另一片為低16位，將兩片HY29LV16作為一個整體配置到ROM/SRAM/FLASH Bank0，即將S3C4510B的nRCS0>（Pin75）接至兩片HY29LV16的CE＃端；

　　兩片HY29LV160的RESET＃端接系統(tǒng)復位信號；

　　兩片HY29LV160的OE＃端接S3C4510B的nOE（Pin72）；

　　低16位片的WE＃端接S3C4510B的nWBE0>（Pin100），高16位片的WE＃端接S3C4510B的nWBE2>（Pin102）；
　　兩片HY29LV160的BYTE＃均上拉，使之均工作在字模式；

　　兩片HY29LV160的地址總線[A19～A0]均與S3C4510B的地址總線[ADDR19～ADDR0]相連；

　　低16位片的數(shù)據(jù)總線與S3C4510B的低16位數(shù)據(jù)總線[XDATA15~XDATA0]相連，高16位片的數(shù)據(jù)總線與S3C4510B的高16位數(shù)據(jù)總線[XDATA31~XDATA16]相連。

　　注意此時應將S3C4510B的B0SIZE[1:0]置為“11”，選擇ROM/SRAM/FLASH Bank0為32位工作方式。