基于SEP4O20的Linux NandFlash驅(qū)動設(shè)計

摘要：本文首先給出了NandFlash的硬件特點(diǎn)，分析了Linux MTD層(Memow Technology Device)的特性，基于東南大學(xué)國家ASIC中心自主設(shè)計的嵌入式微處理器芯片SEP4020，給出了Linux下NandFlash驅(qū)動的詳細(xì)設(shè)計方案。實驗結(jié)果表明，基于這種驅(qū)動方案的NandFlash能進(jìn)行有效的文件管理和穩(wěn)定、快速的讀寫功能，非常適合于嵌入式產(chǎn)品的應(yīng)用。
關(guān)鍵詞：NandFlash；Linux；SEP4020微處理器

0 引言
NandFlash是一種非易失性的存儲介質(zhì)，它以極高的存儲密度，快速的讀寫速度以及低廉的價格，成為在嵌入式領(lǐng)域應(yīng)用極為廣泛的存儲介質(zhì)。但同時NandFlash更大的存儲容量以及更復(fù)雜的硬件接口也為軟件的設(shè)計提出了更高的要求。為了有效地管理復(fù)雜的存儲硬件以及提供更可靠高效的存儲環(huán)境，文章給出了在嵌入式Linux下的NandFlash的驅(qū)動設(shè)計，利用嵌入式Linux系統(tǒng)的高效完善以及Linux MTD子系統(tǒng)的對存儲介質(zhì)的高度兼容，大大提高了NandFlash的使用效率，并降低了驅(qū)動開發(fā)的難度。
本文以東南大學(xué)自主設(shè)計的東芯SEP4020微處理器的為基礎(chǔ)，分析NandFlash的內(nèi)部結(jié)構(gòu)和Linux MTD層的框架，并基于這些研究提出了NandFlash驅(qū)動的設(shè)計和實現(xiàn)。

1 NandFlash的硬件特點(diǎn)
NAND器件是基于I／O接口的，這點(diǎn)不同于NOR閃存，基于Bus的RAM接口。NAND芯片以頁為單位讀寫，以塊為單位擦除，通過多個引腳傳送命令地址數(shù)據(jù)，使用較復(fù)雜的I／O接口來控制。以本文使用的東芝TC58512FT(64MNand)為例，分為4096塊，每塊有32頁，每頁有512B的數(shù)據(jù)區(qū)+16B的OOB(out of band)區(qū)。(4096×32×512B=64MB)，均通過8跟IOM線串行控制，如圖l所示。

同時由于工藝限制，NAND閃存中允許存在壞塊。NAND閃存的每一頁有16B(頁長度512B)的OOB區(qū)用來存放ECC校驗數(shù)據(jù)，ECC有效標(biāo)志，壞塊標(biāo)志等。所有這些決定了于NAND的存儲系統(tǒng)設(shè)計需要處理不同于其它類型閃存特有問題。