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東芝為基站和服務器推出30V電壓功率MOSFET

作者: 時間:2013-07-29 來源:電子產品世界 收藏

  實現最高級別低導通性能和高速轉換  

本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/153076.htm

 

  東京—公司(TOKYO:6502)日前宣布為專用于基站和服務器的通用DC-DC轉換器推出30V電壓功率系列。這些產品采用了最新的第八代低壓溝槽結構,實現了最高級別的低導通和高速轉換。該系列產品計劃于6月底投入量產。

  特性

  1. 采用了第八代低壓溝槽結構,實現了最高級別的低導通

  2. 實現了較低的內部門極電阻和較低的門極電容比(Cgd/Cgs),有助于預防自啟動現象

  規(guī)格  

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關鍵詞: 東芝 MOSFET 電阻

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