可以消除開關(guān)噪聲的DDR內(nèi)存系統(tǒng)電源

本設計介紹了一種應用于DDR內(nèi)存系統(tǒng)的獨特、低成本的電源電路。
常規(guī)DDR內(nèi)存系統(tǒng)包括一個雙反向轉(zhuǎn)換器和一個輸出參考電壓。與常規(guī)設計不同，本文用線性調(diào)節(jié)器代替反向轉(zhuǎn)換器，見圖1，具有消除PWM轉(zhuǎn)換器開關(guān)噪聲的優(yōu)點。
DDR內(nèi)存系統(tǒng)要求穩(wěn)定的2.5V主電源(VDD)、端電壓(VTT)和參考電壓(VREF)，其中VDD、VTT可引出和吸收電流，，這些要求給電源設計者帶來新挑戰(zhàn)。
本電路中，低壓同步反向器產(chǎn)生8A，2.5V的主電源VDD輸出，VTT和VREF通過運放的線性調(diào)節(jié)設計實現(xiàn)。電路專門為低功耗DDR系統(tǒng)(如pc機)設計，根據(jù)需要可通過改變電感、電容設計大功率系統(tǒng)(如PC工作站)。VDD驅(qū)動內(nèi)存集成電路和緩存接口電路，VTT驅(qū)動上拉電阻。由于上拉電阻功耗，為降低功耗，使，此時功耗僅為原來的1/4。VREF為接收端電路的微分放大器提供輸入電壓。
電路中利用了On Semiconducton NCP1571低壓同步反向控制器產(chǎn)生2.5VDD，控制器包括N溝道MOSFET(瞬態(tài)響應時間為200ns)反向調(diào)節(jié)器的必要電路，允許偏差為±1%的輸出、200kHz固定內(nèi)部頻率。
如上述，，約為1.25V，運算放大器U2a、U2b為電壓跟隨器，產(chǎn)生VTT，VDD經(jīng)R5、R6分壓后作為U2b的輸入產(chǎn)生VREF。U2b具有過濾功能，可消除同步反向轉(zhuǎn)換器產(chǎn)生的高頻開關(guān)噪聲，VTT輸出由U2a、Q3、Q4通過電壓跟隨電路配置產(chǎn)生。因此，VTT輸出為50% VDD，而不是靜態(tài)1.25V?！?BR>

圖1 產(chǎn)生三端輸出電壓(VDD, VTT, VREF)的DDR內(nèi)存系統(tǒng)電源。本設計利用了反向轉(zhuǎn)換器和線性調(diào)節(jié)器。