場效應(yīng)管及其在DX中波發(fā)射機中的應(yīng)用
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2．3 功率MOS管在伺服控制板上的應(yīng)用
圖4是DX-600中波發(fā)射機合成器伺服控制板上用到的調(diào)諧的驅(qū)動電路。其中由四只最大工作電壓100V，電流16A的IRF350組成橋式放大驅(qū)動電路，放大前級輸出的脈寬調(diào)制信號直接驅(qū)動調(diào)諧直流電機，傳動調(diào)諧電容轉(zhuǎn)動而達到改變其容量的目的。此外，調(diào)載驅(qū)動電路與此完全相同，二者同時動作實現(xiàn)合成器并機網(wǎng)絡(luò)狀態(tài)變化時的阻抗匹配調(diào)整。本文引用地址：http://butianyuan.cn/article/155197.htm
2．4 功率MOS管在整流柜放電回路的應(yīng)用
DX-600中波發(fā)射機的單個200PB整流柜的主整功放電壓雖然不高(250V)，主整濾波電容由55只5100μF的電容分散并聯(lián)組成，而且每只電容都并聯(lián)了75kΩ的放電電阻，但其總體電容依然較大，
C=55x5100x10-6=0．2805(F)
相對于250V的儲能為：
1／2(CU2)=1／2(0．2805x2502)=8765(J)
這還不包括120μH主整濾波電感、驅(qū)動級電容、二進制電容的儲能，所以說從安全的角度考慮，如果在關(guān)機后不把儲能迅速瀉放，特別是處理故障時，對于維護人員來說具有相當(dāng)大的隱患。所以HARRIS公司采用了如圖5所示的放電電路，主要由IR生產(chǎn)的4只IRFP360功率MOS管Q1、Q2、Q3、Q4和與其相串聯(lián)的大功率電阻R13、R14、R15、R16組成，當(dāng)發(fā)射機工作時，均不導(dǎo)通；關(guān)機后，來自電源控制板的控制信號將控制電壓加到每只場效應(yīng)管的柵極上，MOS場效應(yīng)管開通，將主整和驅(qū)動級(包括二進制)電源的儲能完全瀉放在四個電阻上，達到保護設(shè)備、維護人身安全的作用。
圖5為放電回路早期圖紙，該公司設(shè)計人員采用的100W10Ω(R13、R14、R15、R16)的放電電阻在實際使用中，會經(jīng)常有IRFP360管子損壞、放電電阻燒毀的情況發(fā)生。后來HARRIS公司將其全部更換為250W40Ω后再無類似情況出現(xiàn)。
2．5 功率MOS管在其它地方的應(yīng)用
DX-600中波發(fā)射機中功率MOS管的應(yīng)用位置非常多，比如PB200射放的前級一緩沖級由4支IRL510功率MOS管兩兩構(gòu)成兩組推挽電路，一主一備各自完成將4～4．5Vp-p射頻激勵信號放大至15Vp-p的信號去推動驅(qū)動級(與RF 3XL射放模塊相同電路)。在PB200功放單元的B+／B-開關(guān)電源中，輸出可達65A的B-電源由四只IRFP448功率MOS管提供，輸出20A的B+電源由兩支Motorola生產(chǎn)的N型EMOS (Motorola稱為TMOS)功率管MTW8N5E提供。其它功率MOS管應(yīng)用的地方還有很多，在此不再一一列舉。
3 結(jié)束語
由此可見，場效應(yīng)管因為它速度快、功耗低、抗干擾等優(yōu)點，在中波射放系統(tǒng)中得到了廣泛的應(yīng)用，特別是IR公司功率MOS管的出現(xiàn)及在DX中波發(fā)射機中的大量使用(DX-10中波機射放系統(tǒng)的模塊采用IRFP350功率MOS管)，使電子管完全退出了中波發(fā)射機，引領(lǐng)現(xiàn)代廣播發(fā)射設(shè)備發(fā)生了深刻的變革。
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