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基于ESD的USB 3.0端口的保護方案設(shè)計

作者: 時間:2011-12-20 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

的SuperSpeed接口需要比 2.0電容更低的。增加極低電容P器件可以減小插入損耗,滿足 的眼圖要求。P器件的典型電容為0.2pF,超過6 GHz范圍內(nèi)插入損耗平穩(wěn),同時可以應(yīng)對各種ESD瞬態(tài)。

  與多數(shù)傳統(tǒng)MLV(多層變阻器)或TVS(瞬態(tài)電壓抑制)二極管技術(shù)相比,PESD器件具有更低的電容,而其低觸發(fā)電壓和低鉗位電壓也有助于敏感電子元件。該器件適用于USB2.0的高速D+和D-信號線和USB 的SuperSpeed信號線。在電路設(shè)計方案中增加PESD器件可以實現(xiàn)滿足IEC61000-4-2標準要求的保護水平,該標準規(guī)定接觸模式為8kV (典型)/15kV(最大),規(guī)定空氣放電模式為15kV(典型)/25kV(最大)。

  協(xié)同電路保護

  協(xié)同電路保護設(shè)計可用于改善對USB應(yīng)用中大電流、高電壓和ESD瞬態(tài)的保護。圖5和圖6給出了USB 3.0設(shè)計方案需要的附加電路器件,并與USB 2.0設(shè)計方案進行了比較。

  器件推薦

  PolySwitch過流保護器件可以幫助設(shè)計人員滿足USB 3.0規(guī)范的大電流要求并提供簡單、節(jié)省空間的解決方案。PESD器件具有高速數(shù)據(jù)傳輸應(yīng)用所需的低電容(一般為0.2pF)和電子行業(yè)最普遍的外形尺寸。PolyZen器件能為設(shè)計人員提供傳統(tǒng)鉗位二極管的易用性,又不需要大量的散熱。這種單一器件有助于對使用不正確電源提供保護,也能防止因過流事件而造成損傷。

 泰科電子建議在ESD保護中使用以下器件:

  USB 2.0高速D+/D-線和USB 3.0 SuperSpeed線:

  ● PESD0402-140 (EIA 0402規(guī)格)

  ● PESD0603-240 (EIA 0603規(guī)格)

  5VDC線:

  ● PESD: PESD0402-140 (EIA 0402規(guī)格),或

  ● MLV: MLV0402-120-E120、MLV0402-180-E030或

  MLV0603-130M-C201

  泰科電子建議在USB過流保護中使用的器件如表1所示。

  泰科電子建議在所有USB受電設(shè)備上安裝過壓保護器件,特別是VBUS端口上,如表2所示。


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