安森美高精度ECL時序延遲芯片 作者： 時間：2002-12-05 來源：電子設計應用 加入技術(shù)交流群 掃碼加入和技術(shù)大咖面對面交流海量資料庫查詢 收藏 <a target='_blank'><img src='https://ad.eepw.com.cn/www/delivery/avw.php?zoneid=88&cb=INSERT_RANDOM_NUMBER_HERE&n=a635e61e' border='0' alt='' /></a> <a target='_blank'><img src='https://ad.eepw.com.cn/www/delivery/avw.php?zoneid=87&cb=INSERT_RANDOM_NUMBER_HERE&n=a576c0a2' border='0' alt='' /></a> 安森美半導體推出一款帶次級調(diào)諧輸入的射極耦合邏輯(ECL)可編程延遲芯片MC100EP196，可在10皮秒(ps)單位內(nèi)進行2.2至12.2納秒(ns)延遲定時。增加了微調(diào)(FTUNE)輸入功能，可提供0至60皮秒的可編程輔助延遲?？芍苯右晕⒖刂破?編程， MC100EP196與 PECL或NECL模式的正負參考低電壓3.0至3.6伏系統(tǒng)均兼容。所需延遲由10個可編程數(shù)據(jù)選擇輸入端D[0:9]進行選擇。MC100EP196加多一個引腳，可級聯(lián)多個可編程芯片。www.onsemi.com/tech
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