一種20M低相位噪聲晶體振蕩器的設(shè)計(jì)
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振蕩器的核心振蕩電路由M1、M2、C1、C2以及石英晶體組成。晶體管M1作為振蕩主管，M2管作為偏置電流源，振蕩器的輸出在M1管的柵端。為了得到比較理想的頻率偏移，C1、C2都取得比較大，分別為5p、10p。利用上節(jié)提到的負(fù)阻抗模型，對該電路進(jìn)行分析，可得：
當(dāng)振蕩器起振之后，振蕩波形幅度會(huì)不斷增大，一直到振蕩器件出現(xiàn)飽和為止。這期間可能會(huì)引起MOS管的擊穿，因此需要設(shè)計(jì)一個(gè)振幅控制電路。本文設(shè)計(jì)的振幅控制電路由M3～M14組成。M4、M5是一對非對稱差分管，M4的寬長比遠(yuǎn)大于M5，M3是它們的偏置電流源。由于直流偏置一樣，這樣在起振的時(shí)候M5的電流遠(yuǎn)小于M4，M8可以提供該電流，此時(shí)M9、M10關(guān)斷只有很小的亞閾值電流。R3的電流只由M11、M12、M13、M14以及帶隙基準(zhǔn)組成的電流鏡提供，M2的柵源電壓VSG2=VDD-R3I11，所以M2能夠提供較大的電流，使振蕩器在較大的正反饋增益下迅速起振。
在起振之后輸出電壓振幅不斷增大，M4、M5的反向交流電流也按尺寸比例分配，使通過兩者的平均電流不斷接近，當(dāng)振蕩幅度達(dá)到一定大小時(shí)，兩個(gè)管子平分M3的電流。此時(shí)M8不足以提供M5的電流，M9就進(jìn)入飽和態(tài)導(dǎo)通補(bǔ)足所需的電流，同樣M10也導(dǎo)通，所以流過R3的電流增大變?yōu)镮10+I11，M2的柵源電壓變小，從而M2的電流下降，振蕩器趨于穩(wěn)定，輸出幅度穩(wěn)定下來。R3和C4決定振幅控制電路的時(shí)間常數(shù)，它的值太小會(huì)引入幅度波動(dòng)，太大則會(huì)使響應(yīng)過慢，需要進(jìn)行折衷考慮。
相位噪聲是晶體振蕩器最重要的指標(biāo)，它直接影響鎖相環(huán)回路的工作性能，決定了芯片對射頻信號(hào)接收與處理靈敏度，甚至決定了整個(gè)電路能否正常工作。通過仿真和分析可知，振蕩器電路的主要噪聲源是電流鏡M11、M12、M13、M14的閃爍噪聲，通過影響M2的柵源電壓，把噪聲傳遞到主振蕩電路，從而影響振蕩輸出的相位噪聲。因此本文提出在M2的柵端添加一個(gè)由R2、C3組成的RC濾波器，濾掉振幅控制電路的噪聲，顯著地提高相位噪聲指標(biāo)。選取R2、C3的值時(shí)，要綜合考慮濾波器的帶寬及電阻電容的面積。
晶振的輸出緩沖級(jí)由隔直電容C5、自偏置結(jié)構(gòu)R4、M15、M16、以及M17、M18、M19、M20組成的反相器鏈構(gòu)成，可以得到全擺幅的方波輸出。
2 電路版圖及仿真
電路使用SMIC 0．18μm工藝實(shí)現(xiàn)，圖5是該電路芯片的顯微鏡照片，面積約為550×185μm。本文引用地址：http://butianyuan.cn/article/156180.htm
評(píng)論