決定光纖特性的拉絲張力

　拉絲張力主要受拉絲爐溫控制，因此拉絲張力(F)可用拉絲溫度(T)表示為：

　　F=A+B/T (1)

　　式中A和B分別為表面張力和粘滯流動常數(shù)。

　　但是玻璃是一種近程有序、遠程無序的無定形“過冷液體”。玻璃的粘度、離子擴散速度等一類性質(zhì)，在高溫熔體冷卻過程中是逐漸變化的。在轉(zhuǎn)變溫度以下主要取決于玻璃網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)和網(wǎng)絡(luò)外離子的配位狀態(tài)的統(tǒng)計規(guī)則。光纖以非常高的冷卻速度(2000-8000℃/s)迅速從2000℃左右冷卻至室溫，使其高溫結(jié)構(gòu)迅速凍結(jié)。熔體在冷卻過程中質(zhì)點或原子團重新排列，玻璃結(jié)構(gòu)也隨外界條件而變化，這就是拉絲張力對光纖性能起重大作用的根本原因。

　　拉絲張力與光纖衰減的平衡點

　　由于拉絲張力的大小是通過拉絲爐溫度來控制的，拉絲爐溫度越高，玻璃軟化程度越大，拉絲張力就越小。

　　從圖1中可以看出，對于1310nm窗口衰減，隨著拉絲張力的增加，光纖的衰減會發(fā)生先降后升，呈拋物線形，而1550nm窗口處衰減在一點的拉絲張力范圍內(nèi)并沒有隨拉絲張力發(fā)生明顯變化的現(xiàn)象。

　　這是由于在高溫下，容易誘發(fā)石英玻璃內(nèi)部點缺陷的形成，造成光纖衰減的增大。在高溫下，石英內(nèi)部容易發(fā)生下面的反應(yīng)式(2)：

　　SiOSi+H2→SiOH+HOSi (2)

　　SiOH的吸收峰正是在1380nm附近，這會帶動光纖在1310nm窗口處衰減一同增大。同時，拉絲過程是高溫預(yù)制棒體積急劇變化的過程，預(yù)制棒在高溫下經(jīng)過拉伸，其本身的化學鍵可能被破壞，且光纖又經(jīng)過迅速冷卻降溫，更容易造成光纖本身缺陷的增加和原有缺陷的發(fā)展，而這些缺陷會造成光纖瑞利散射衰減增大，溫度差越大，這種破壞越強。而瑞利散射是與波長的四次方成反比的，所以在1550nm處衰減隨溫度的變化沒有1310nm波長處明顯。

　　隨著溫度的降低，上述兩種作用機制共同作用，使得光纖的衰減變小，但是隨著溫度的進一步降低，光纖所受的張力越來越大，材料的粘度分布將逐漸由均勻分布到不均勻分布。在此種條件下拉絲，會在石英材料中間形成不同程度的應(yīng)力集中，這會抵消溫度降低帶來的光纖衰減減小的效果。如果進一步降低拉絲溫度，光纖中應(yīng)力集中占到更重要因素，使得光纖的衰減重新增加。

　　單模光纖的兩大重要性能

　　截止波長和模場直徑是單模光纖的兩個極為重要的性能參數(shù)，拉絲張力是拉絲工藝中重要的控制參數(shù)之一。

　　截止波長指的是, 單模光纖通常存在某一波長，當所傳輸?shù)墓獠ㄩL超過該波長時，光纖只能傳播一種模式基模的光，這一波長便稱為截止波長。截止波長大小由光棒的結(jié)構(gòu)參數(shù)，如光纖的芯徑以及芯、包層間的相對折射率差△決定。模場直徑，因為單模光纖中關(guān)能量并不是完全集中在纖芯中, 而是有相當部分的能量存在包層中，所以對單模光纖不宜用芯徑作為其特征參數(shù)，而是用模場直徑作為描述單模光纖中光能集中的范圍，一般以光強分布最大值的1/e2所對應(yīng)的光斑大小作為模場直徑。拉絲張力為光纖成形區(qū)因石英粘度所產(chǎn)生的阻力與光纖涂覆時所受的阻力之和。拉絲張力是由加熱爐工作溫度和拉絲速度共同決定的。

　　溫度是光纖特性改變的關(guān)鍵

　　截止波長的理論計算公式為：