光纖預(yù)制棒技術(shù)

摘 要：根據(jù)最新的文獻(xiàn)資料和技術(shù)交流信息,綜述了光纖預(yù)制棒制造技術(shù)的狀態(tài)與發(fā)展趨勢。

關(guān)鍵詞：光纖預(yù)制棒；兩步法；芯棒；外包層
　
　　 本文根據(jù)最新的文獻(xiàn)資料和國際技術(shù)交流信息綜述光纖預(yù)制棒制造技術(shù)的當(dāng)前狀態(tài)與發(fā)展趨勢,重點(diǎn)是“兩步法”工藝,包括各種芯棒制造技術(shù)(OVD、VAD、MCVD、PCVD)和外包層制造技術(shù)(套管法、等離子噴涂法、火焰水解法、熔膠--凝膠法),希望對國內(nèi)光纖產(chǎn)業(yè)的發(fā)展有所裨益。

目前,已形成光纖光纜全球性大發(fā)展的良好氣候,美國KMI公司預(yù)測,　今后10年,全球光纖光纜需求將持續(xù)增長,為適應(yīng)全球光纖光纜需求的增長,國際上各大光纖生產(chǎn)廠商正進(jìn)行新一輪的擴(kuò)產(chǎn),同時,國內(nèi)光纖產(chǎn)業(yè)的發(fā)展勢頭也很強(qiáng)勁,有的光纖生產(chǎn)企業(yè)正在擴(kuò)產(chǎn),還將新建幾個大型光纖廠。這里,技術(shù)路線的選擇是很重要的。

一、制造預(yù)制棒的“兩步法” 光纖工業(yè)在70年代興起。
　　 20多年來,光纖制造商工藝一直在不斷發(fā)展。由于光纖預(yù)制棒制造技術(shù)是光纖制造工藝的核心,光纖行業(yè)歷來用光纖預(yù)制棒制造技術(shù)來命名光纖制造工藝。按照傳統(tǒng)的命名方法,當(dāng)前光纖技術(shù)市場上四種工藝共存,即OVD、VAD、MCVD、PCVD。然而,僅用上述工藝名稱簡單地表示當(dāng)前的生產(chǎn)工藝已經(jīng)是很不全面了。當(dāng)前商業(yè)生產(chǎn)光纖預(yù)制棒的汽相沉積工藝都已經(jīng)發(fā)展為“兩步法”(Two-step Processes)。圖1較為全面地描述了當(dāng)前商業(yè)生產(chǎn)光纖預(yù)制棒的工藝,其中,OVD、MCVD等工藝名稱僅僅表示生產(chǎn)預(yù)制棒的第1步,即生產(chǎn)芯棒(Core-rod/Primary Preform/Initial Preform)所用的工藝,

　　 在生產(chǎn)芯棒時,不僅要制造芯也必需制造部分包層,這是為了確保光纖的光學(xué)質(zhì)量,隨后,可以把芯棒拉細(xì)成很多小芯棒,也可以不拉細(xì),這取決于芯棒的大小。第二步,在芯棒上附加外包層(俗稱外包技術(shù)或Overcladding),制成預(yù)制棒,拉絲之前,可以把預(yù)制棒拉細(xì)也可以不拉細(xì),這取決于預(yù)制棒和拉絲爐的大小。

　　所以,所謂“兩步法”并不局限于兩步,光纖預(yù)制棒的光學(xué)特性主要取決于芯棒制造技術(shù)；光纖預(yù)制棒的成本主要取決于外包技術(shù),因此,芯棒制造技術(shù)加上外包技術(shù)才能全面說明當(dāng)前光纖預(yù)棒制造工藝的特征。參見圖1。

　　 這里要說明的是：
　　 ●圖1中的芯棒技術(shù)名稱和套管法,已經(jīng)是眾所周知,此外無須贅述。
　　 ●“SOOT”法,國外文獻(xiàn)中常用“soot process”來泛指OVD、VAD等火焰水解外沉積工藝。在本文中我們稱之為：SOOT外包技術(shù),而不用OVD術(shù)語,以示與OVD芯棒技術(shù)的區(qū)別,該技術(shù)在美國和日本各公司已廣為應(yīng)用。
　　 ●等離子噴涂(Plasma Spray),是指用高頻等離子焰將石英粉末熔制于芯棒上制成大預(yù)制棒的技術(shù),由阿爾卡特發(fā)明、使用。
　　 ●溶膠--凝膠法(Sol-gel)用作外包技術(shù),是美國朗訊發(fā)明的,包括兩條途徑。其一,先用溶膠--凝膠法制成合成石英管作為套管,再用套管法制成大預(yù)制棒；其二,先用溶膠--凝膠法制成合成石英粉末,再用高頻等離子焰將合成石英粉末熔制于芯棒上制成大預(yù)制棒的技術(shù),所以從本質(zhì)上看它應(yīng)屬于SOOT或等離子噴涂法。

　　 二、芯棒制造工藝的發(fā)展趨勢

　　 2.1各種化學(xué)汽相沉積工藝從1980年到2000年的發(fā)展

　　 MCVD是最早成熟的工藝,早期的多模光纖主要是該工藝生產(chǎn)的,進(jìn)入80年代以后,伴隨著常規(guī)單模光纖(SMF)的成熟,OVD、VAD在光纖市場的份額迅速增加,美國康寧和日本各公司均停止使用MCVD工藝,MCVD的市場份額迅速下降,OVD、VAD工藝的份額迅速增加。但是,MCVD工藝不斷改進(jìn),納入了多項(xiàng)新技術(shù),因此迄今仍占約1/3的市場份額。表1列出4種化學(xué)汽相沉積工藝從1980年到2000年所占市場份額的變化。 表1 各種化學(xué)汽相沉積工藝所占市場份額(%)的變化(1980年--2000年) 注：這里所述的各種工藝所占的份額均是以芯棒的制造工藝來劃分,不考慮其外包工藝。
　　
　　 2.2 MCVD的發(fā)展
　　 ●最初的MCVD是在一臺車床上依次進(jìn)行包層沉積、芯沉積、熔縮成預(yù)制棒,這是典型的“一步法”。目前,阿爾卡特已經(jīng)將沉積與熔縮分開,在沉積之后,用另一臺專用車床熔縮成棒,并用石墨感應(yīng)爐代替氫氧焰做熱源進(jìn)行熔縮成棒。
　　 ●采用大直徑合成石英管代替天然水晶粉熔制成的小直徑石英管做為襯底管,目前在生產(chǎn)上用的合成石英襯底管外直徑約為40mm,沉積長度1.2~1.5m。 ＂
　　 ●最重要的是,用各種外沉積技術(shù)取代了套管法來制作大預(yù)棒,例如用火焰水解外包和等離子外包技術(shù)在芯棒上制作外包層,形成了MCVD與外沉積工藝相結(jié)合的混合工藝。這此新技術(shù)彌補(bǔ)了傳統(tǒng)MCVD工藝沉積速率低、幾何尺寸精度差的缺點(diǎn),降低了成本、提高了質(zhì)量、增強(qiáng)了競爭力。
　　 ●開發(fā)低成本、高質(zhì)量、大尺寸的套管的制造方法(如溶膠--凝膠法,OVD法),供套管使用。

　　 2.3 VAD工藝的發(fā)展
　　 ●70年代的VAD工藝,芯和包層同時沉積、同時燒結(jié),號稱預(yù)制連續(xù)制造工藝。
　　 ●80年代的VAD工藝是先做出大直徑芯棒,然后把該大直徑芯棒拉細(xì)成多根小芯棒,再用套管法制成預(yù)制棒,從“一步法”發(fā)展到“二步法”。
　　 ●90年代改成用SOOT外包代替套管法制成光纖預(yù)制棒。
　　 ●90年代以來,使用VAD的生產(chǎn)廠家增多了,除了日本古河、滕倉之外,信越、日立、三菱、昭和等公司從日本NTT獲得了使用VAD工藝生產(chǎn)光纖的許可,并實(shí)施了再開發(fā),實(shí)現(xiàn)了商業(yè)化VAD工藝,朗訊也從住友公司購得了使用VAD工藝的許可,另外還與住友在美國建立了VAD法的合資光纖廠,從而有機(jī)會多年觀察VAD光纖生產(chǎn),此后,朗訊將VAD工藝引進(jìn)到它的亞特蘭大光纖廠。美國SpecTran公司在購買ENSIGN-BICKFORD公司的資產(chǎn)的同時,也獲得了VAD工藝。順便提一下,SpecTran公司已在1999年末被美國朗訊購并。

　　 2.4 OVD工藝的發(fā)展

　　 ●從單噴燈沉積到多噴機(jī)同時沉積,沉積速率成倍提高。
　　 ●從一臺設(shè)備一次沉積一根棒發(fā)展到一臺設(shè)備同時沉積多根棒。
　　 ●從依次沉積芯、包層連續(xù)制成預(yù)制棒的“一步法”發(fā)展到“二步法”；即先用陶瓷棒或石墨棒為靶棒,只沉積芯材料(含少量包層)做出大直徑芯棒,經(jīng)去水燒結(jié)后,把該大直徑芯棒拉細(xì)成多根小直徑芯棒,再用這些小直徑芯棒為靶棒來沉積包層,制成光纖預(yù)制棒,大大提高了生產(chǎn)率、降低了成本。
　　
　　 2.5 PCVD工藝的發(fā)展
　
　　 ●與MCVD一樣,當(dāng)前的PCVD工藝也采用了大直徑合成石英管代替天然水晶熔制的石英管做為襯底管。
　　 ●荷蘭POF公司已開發(fā)了四代PVCD工藝,襯底管內(nèi)直徑從最初的16mm增大到60mm以年,沉積速率提高到2~3g/min,沉積長度1.2~1.5m。
　　 ●目前仍是用套管法制做成大預(yù)制棒,但一根套管就重達(dá)幾公斤。
　　 ●原則上與MCVD一樣,也可形成PCVD與外沉積工藝相結(jié)合的混合工藝,但迄今未見報道。

　　 2.6 各種芯棒工藝的比較

　　 各種芯棒工藝生產(chǎn)同一種光纖產(chǎn)品的生產(chǎn)率有很大差別；生產(chǎn)特定品種的光纖將要求采用最適合的芯棒工藝,鑒于在最近的將來,國際上使用最多的光纖仍是SMF。因此,圖2示出各種工藝生產(chǎn)SMF的最新經(jīng)濟(jì)分析結(jié)果。該分析比較了生產(chǎn)100萬km光纖所需的設(shè)備數(shù)量；其中MCVD需6~12臺(套)；VAD需4~6臺(套)；OVD需1~2臺(套)。顯然,MCVD要求較多的機(jī)械設(shè)備投資。不過,各種設(shè)備的單價是不同的,以MCVD設(shè)備的單價最低。所以,設(shè)備總投資的差異不會如設(shè)備數(shù)量的差別那么大。