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TRF6900單片射頻收發(fā)器的原理及應用

作者: 時間:2009-07-16 來源:網(wǎng)絡 收藏

1 概述

本文引用地址:http://www.butianyuan.cn/article/157978.htm

是Texas Instruments公司推出的芯片,其內(nèi)部集成了完整的發(fā)射電路和接收電路。它的工作頻率范圍為850~950MHz,供電電壓范圍為 2.2~3.6V,輸出功率高達+5bBm,而待機模式時的電流消耗僅在0.5μA~5μA之間,TRF-6900采用高吞吐率16-bit RISC結構,其最快速率可達8MIPS。另外,這種還具有FM/FSK調(diào)制模式并采用三線制串行接口,因而可很方便地與微控制器相連接,可用于 ISM頻段內(nèi)的數(shù)據(jù)雙向無線傳輸。適應于計算機遙測遙控系統(tǒng)、手持式電池供電的操作系統(tǒng)儀器儀表設備及安全防范系統(tǒng)等方面。

2 基本結構和特性

的內(nèi)部結構框圖及引腳排列如圖1所示。它采用48腳PQFP封裝形式,各引腳功能如表1所列。由圖1可知,主要由發(fā)射電路和接收電路兩用人才部分組成。發(fā)射電路包含RF功率放大器、鎖相環(huán)、壓控振器、可編程的直接數(shù)字合成器和低功耗控制邏輯電路以及串行接口電路等。接收電路包括低噪聲放大器、緩沖放大器、射頻混頻器、本機振蕩緩沖放大器、第一級中頻放大器、第二級中頻放大器限幅、FM/FSK解調(diào)器、低通濾波放大器/后檢波放大器、數(shù)據(jù)限制器和接收信號強度指明示器等電路。

在發(fā)射電路中,TRF6900利用3線單向串行總線(CLOCK、DATA、STRLBE)進行編程。芯片內(nèi)微控制器中的24位移位寄存器中,若置 STRLBE置為高電平,則編程信息將被裝入所選的鎖存器以完成DDS模式、調(diào)制器以及PLL等的設置。當發(fā)射的數(shù)據(jù)通過TX DATA端進入DOS后,可由DOS將數(shù)字信號通過11位數(shù)/模轉換器正弦波形成器等電路轉換成模擬信號?;鶞收袷幤鞯妮斎腩l率fref為 15~`26MHZ,可編程的DOS分配器比率為0~4194303 bits,分辯率Δf=Nfref/224,FSK調(diào)制器寄存比率為 0~1020bits,分辨率△f=Nfref/222。芯片中的時鐘電路采用外接晶體振蕩器(25.6~26MHZ)來產(chǎn)生電路所需的基準頻率。其本機震蕩采用鎖相環(huán)(PLL)方式,它由頻率合成器、外接無源回路濾波器和壓控震蕩器組成。壓控震蕩器的頻率范圍為 850~950MHZ。RF功率放大器的輸出功率高達+5bBm。

表1 TRF6900各引腳功能

引 腳符 號功 能引 腳符 號功 能
1,3LNA-GND低噪聲放大器地25STORBE串行接口選通脈沖
2LNA-IN低噪聲放大器地輸入26CLOCK串行接口時鐘信號
4PA-VCC功率放大器電源27DATA串行接口數(shù)據(jù)信號
5PA-OUT功率放大器輸出28DATA OUT接收數(shù)據(jù)輸出
6PA-GND功率放大器地29SH-CAP數(shù)據(jù)限制外接電容
7PLL-GND鎖相環(huán)地30AMP-OUT接收放大器輸出
8PD-SET充電泵電流設置端口31AMP-CAP接收放大器電容
9PD-OUT2充電泵輸出232AMP-IN接收放大器輸入
10PD-OUT1充電泵輸出133RSSI-OUT接收信號強度指示器輸出
11LOCKDET同步檢測34,35DEM-TANK解調(diào)器振蕩回路
12PLL-VCC鎖相環(huán)電源36DEM-VCC解調(diào)器電源
13VCO-TANK1壓控振蕩器振蕩回路137VREF解調(diào)器電壓基準
14VCO-TANK2壓控振蕩器振蕩回路238DEM-GND解調(diào)器地
15DDS-GND直接數(shù)字合成器地39IF2-IN中頻2輸入
16STDBY待機控制40IF-GND中頻地
17MODE模式控制41IF1-OUT中頻1輸出
18DDS-VCC直接數(shù)字合成器電源42IF1-IN中頻1輸入
19TX-DATA發(fā)射數(shù)據(jù)輸入43MIX-GND混頻器地
20DIG-VCC數(shù)字電路電源44MIN-OUT混頻器輸出
21DIG-GND數(shù)字電路地45MIX-VCC混頻器電源
22GND芯片地46MIX-IN混頻器輸入
23XOSC1基準頻率振蕩器連接147LNA-OUT低噪聲放大器輸出
24XOSC2基準頻率振蕩器連接248LNA-VCC低噪聲放大器電源


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