東芝推出650V系統(tǒng)超結(jié)MOSFET “DTMOS Ⅳ”系列
實(shí)現(xiàn)頂級(jí)[1]低導(dǎo)通電阻性能
本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/159224.htm東京—東芝公司(TOKYO:6502)日前宣布推出第四代超級(jí)結(jié)MOSFET “DTMOS IV”系列650V器件。作為該系列的首款產(chǎn)品,“TK14A65W”已經(jīng)推出,并計(jì)劃于2013年8月全面投入量產(chǎn)。
該系列采用最新的單外延工藝打造,其每單位面積導(dǎo)通電阻(Ron•A)較現(xiàn)有的650V “DTMOS II”系列產(chǎn)品約降低了50%[2],這就使之能夠采用緊湊封裝,有助于提高功效,縮小產(chǎn)品的集成尺寸。
主要規(guī)格
產(chǎn)品型號(hào) | 封裝 | 絕對(duì)最大額定值 | RDS(ON) 最大值(Ω) |
Qg 標(biāo)準(zhǔn)值 (nC) |
Ciss 標(biāo)準(zhǔn)值 (pF) |
|
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VDSS(V) | ID(A) | VGS=10V | ||||
TK14A65W | TO-220SIS | 650 | 13.7 | 0.25 | 35 | 1300 |
注:
[1] 截至2013年7月。東芝公司的研究。
[2] 與“TK17A65U”對(duì)比。
評(píng)論