基于VHDL的SDRAM控制器的實(shí)現(xiàn)

　　ADDR為輸入地址端口。控制器將其解析為對應(yīng)的片選、頁以及行、列地址。以一條MIT16LSDT6464A內(nèi)存條為例，其大小為512Mbyte（2 29 byte）。數(shù)據(jù)位寬為64bit（8byte），則地址線ADDR應(yīng)為26根。可以這樣映射地址：ADDR[25]對應(yīng)內(nèi)存芯片組號；ADDR[24:23]對應(yīng)頁號；ADDR[22:10]對應(yīng)行號；ADDR[9:0]對應(yīng)列號。

DATAIN為寫入數(shù)據(jù)端口，64bit位寬。

　　DATAOUT為讀出數(shù)據(jù)端口，64bit位寬。

　　RD_OE為讀出數(shù)據(jù)使能端口，當(dāng)其為1時(shí)，表示從下一個(gè)時(shí)鐘起，數(shù)據(jù)將依次出現(xiàn)在DATAOUT口上。

　　WR_OE為寫入數(shù)據(jù)使能端口，當(dāng)其為1時(shí)，寫入數(shù)據(jù)應(yīng)該依次出現(xiàn)在DATAIN口上。

　　CMD[2:0]為命令輸入端口，分別表示讀、寫內(nèi)存等待操作。其中，CMD=“000”表示無操作，內(nèi)存條交給控制器管理，定其完成刷新工作；REFRESH命令由外部邏輯指定特刷新的內(nèi)存芯片信號，組號由ADDR的低位給出；LOAD_MODE命令執(zhí)行內(nèi)存條工作寄存器初始化工作，初始化值由DATAIN的低13位決定，內(nèi)存芯片組號同樣由ADDR的低位給出；同理，ADDR的低位也決定了預(yù)充電操作所對應(yīng)的內(nèi)存芯片組號。

　　CMDACK為命令應(yīng)答端口，表示命令已經(jīng)被執(zhí)行，使外部邏輯可以向控制器發(fā)出下一個(gè)動作。

　　4.2 狀態(tài)機(jī)

　　圖3是SDRAM控制器的狀態(tài)轉(zhuǎn)移圖。狀態(tài)圖中的各個(gè)狀態(tài)內(nèi)均包含一系列的子狀態(tài)轉(zhuǎn)移（對SDRAM內(nèi)存條發(fā)出連續(xù)命令），每個(gè)子狀態(tài)完成一個(gè)功能操作。初始化操作包括前面介紹的內(nèi)存條初始化全過程，工作寄存器的默認(rèn)值在VHDL程序中指定。以后可以通過LOAD_MODE命令改變內(nèi)存條的工作模式。初始化結(jié)束后，內(nèi)存條進(jìn)入Idel狀態(tài)，刷新計(jì)數(shù)器開始工作，控制器開始響應(yīng)外部邏輯的操作請求。

　　刷新計(jì)數(shù)器操作是一個(gè)獨(dú)立的進(jìn)程（process）。刷新計(jì)數(shù)器的初值由內(nèi)存芯片要求、內(nèi)存條個(gè)數(shù)和控制器工作頻率共同決定。例如，在本次設(shè)計(jì)中，所采用的MT48LC32M8A2內(nèi)存芯片要求在64ms內(nèi)夏至少刷新8196次。而MIT16LSDT6464A型內(nèi)存條共有兩組內(nèi)存芯片，也就是要求在64ms內(nèi)要發(fā)出8196×2條自刷新（AUTO REFRESH）指令。系統(tǒng)工作時(shí)鐘為46.66MHz,因此控制單條MIT16LSDT6464A時(shí)，刷新計(jì)數(shù)器初值至多為（64ms/8196/2）×6、、46.66MHz,即182.開始工作后，每當(dāng)刷新計(jì)數(shù)器值減為0,便依次向內(nèi)存芯片組發(fā)出刷新命令，保證SDRAM中的數(shù)據(jù)不丟失。刷新請求是內(nèi)存請求；讀和寫操作是外部請求。在Idel狀態(tài)中有請求仲裁邏輯，當(dāng)內(nèi)部和外部請求同時(shí)出現(xiàn)時(shí)，優(yōu)先保證內(nèi)部請求，狀態(tài)轉(zhuǎn)移至刷新操作。當(dāng)刷新操作結(jié)束時(shí)，重新返回Idel狀態(tài)，開始響應(yīng)外部請求。響應(yīng)外部請求后，應(yīng)答信號CMDBAK出現(xiàn)正脈沖。它通知外部邏輯，請求已經(jīng)被響應(yīng)，可以撤銷請求。在刷新操作狀態(tài)中，也有許數(shù)器計(jì)數(shù)，其大小等于控制器管理的內(nèi)存芯片信號。記錄并判斷此次刷新操作所對應(yīng)的內(nèi)存芯片的組號，產(chǎn)生相應(yīng)的片選信號。

　　響應(yīng)讀、寫請求后，狀態(tài)從Idel轉(zhuǎn)移到讀、寫狀態(tài)。同時(shí)讀、寫地址和寫入的數(shù)據(jù)鎖存至控制器?？刂破饔勺x寫地址解析出CS信號、頁地址、行地址、列地址。向內(nèi)存條發(fā)出一系列命令（ACTIVE,READ/WRITE with AUTO PRECHARGE），完成讀寫操作，為了簡化，此控制器向SDRAM發(fā)出的都是帶有AUTO PRECHARGE的讀、寫指令，然后由SDRAM內(nèi)部邏輯自動在讀、寫過程末期發(fā)出PRECHARGE指令（在發(fā)READ/WRITE指令時(shí)，地址線A10賦值1,打開AUTO PRECHARGE功能）。圖4和圖5分別是利用該控制器完成讀、寫操作的時(shí)序圖。讀操作的CAS延遲為兩個(gè)時(shí)鐘。

　　該SDRAM控制器在中頻數(shù)據(jù)海量存儲系統(tǒng)中已得到應(yīng)用。數(shù)據(jù)接收邏輯將接收到的中頻采樣數(shù)據(jù)整理后（拼接成64bit），通過SDRAM控制器存入SDRAM陣列。存滿后，數(shù)據(jù)輸出邏輯將中頻數(shù)據(jù)通過SDRAM控制器從內(nèi)存條中取出，傳輸至上位機(jī)。其VHDL代碼在ATERA公司的FPGA--EP1C6Q240中通過了Quartus II的仿真、綜合和布局、布線。占用499個(gè)logic cellk,消耗了8%的邏輯資源。留有豐富的資源可提供給其它邏輯單元使用。

　　上面介紹了SDRAM的基本工作原理和一種簡單的通用SDRAM控制器的實(shí)現(xiàn)。SDRAM的控制機(jī)制比較復(fù)雜，具有多種突發(fā)讀、寫方式和工作模式（詳細(xì)內(nèi)容請參考SDRAM的數(shù)據(jù)手冊）。但是，可以根據(jù)實(shí)現(xiàn)應(yīng)用，實(shí)現(xiàn)其中的一個(gè)子集（基本讀、寫、刷新操作）來滿足實(shí)際系統(tǒng)的需要。用SDRAM實(shí)現(xiàn)大容量的高速數(shù)據(jù)緩存具有明顯的優(yōu)勢，使用可編程器件實(shí)現(xiàn)SDRAM控制器則使之具有更高的靈活性，其應(yīng)用前景廣闊。