處理大范圍信號(hào)變化的廉價(jià)包絡(luò)線跟蹤器
當(dāng)信號(hào)的占空比或振幅發(fā)生變化,或當(dāng)它的平均電平不可預(yù)測(cè)地在某個(gè)特定直流電范圍內(nèi)變化時(shí),把頻帶有限的 NRZ(非歸零)數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換到一種適合于微處理器和其它數(shù)字系統(tǒng)的數(shù)字格式,會(huì)產(chǎn)生一些問題。利用交流電耦合把信號(hào)傳輸?shù)侥硞€(gè)固定的基準(zhǔn)比較器,會(huì)產(chǎn)生糟糕的結(jié)果,這是因?yàn)檎伎毡鹊淖兓瘜?dǎo)致平均信號(hào)電平的變化,后者導(dǎo)致輸出信號(hào)時(shí)序的抖動(dòng)或失真。
包絡(luò)線跟蹤器以二極管和 RC 網(wǎng)絡(luò)為基礎(chǔ),在輸入信號(hào)的偏移之間產(chǎn)生電壓(參考文獻(xiàn) 1)。比較器利用中點(diǎn)電壓作為基準(zhǔn)來產(chǎn)生數(shù)字輸出信號(hào),它如實(shí)地復(fù)制了原始信號(hào)的時(shí)序信息?;诙O管的電路雖然對(duì)較大信號(hào)非常有效,但對(duì)那些與二極管正向電壓降相比較小的輸入,或者當(dāng)輸入的平均電平朝電路的兩個(gè)電源電壓軌中的任何一個(gè)漂移時(shí),這種電路會(huì)引入誤差甚至完全失效。
圖1 中的單電源電路不需要二極管,就能重建一個(gè)頻帶有限的 NRZ 數(shù)據(jù)流,它的占空比變化范圍是從低于 5% 到超過 95%,振幅變化范圍是從低于100 mV到電源電壓5V 等等。而且,該電路容忍在兩個(gè)電源線之間變化的平均信號(hào)電平。該電路包含三路模擬開關(guān)IC1、雙比較器IC2 以及幾個(gè)無源元件。
該電路對(duì)輸入信號(hào)的高電平和低電平 VU 和 VL 采樣,并在電容器 C3 和 C4 上產(chǎn)生相應(yīng)的直流電平 VUC 和 VLC,由此起到自時(shí)鐘包絡(luò)線跟蹤器功能。C3和C4 之間的兩個(gè)等值電阻器 R4 和 R5 產(chǎn)生第三個(gè)電壓 VMID,它等于輸入信號(hào)的中級(jí)電壓 VM。電容器 C2 平滑并過濾 VMID,后者充當(dāng)輸出比較器 IC2B 的基準(zhǔn)電位。R2、R3 和 C1 提供時(shí)間上的滯后作用,從而即使對(duì)較小的輸入也能確保 VOUT 的干凈開關(guān)。
為了了解電路的工作,假設(shè) C4、C2 和 C3 都放電,即 VLC、VMID 和 VUC 都為 0V。由于輸入信號(hào) VIN 大于 VMID 以及在 IC2A 的反相輸入端的電位,因此兩個(gè)比較器的輸出都變高,并導(dǎo)致三個(gè)模擬開關(guān)處于圖 1 中的位置?,F(xiàn)在,假設(shè) VIN 處于正峰值振幅 VU。電容器 C3 現(xiàn)在通過 R1 和三個(gè)開關(guān)的接通電阻充電。只要 C3 不是太大,VUC 就會(huì)迅速達(dá)到約等于 VU 的值。
當(dāng) VIN 降至低于 VUC 時(shí),比較器 IC2A 的輸出變低,迫使模擬開關(guān) IC1C 改變狀態(tài),并把 C3 從 VIN 斷開。忽略比較器輸入偏置電流并假設(shè)開關(guān)泄漏電流可忽略不計(jì),則 C3 現(xiàn)在只通過 R4 放電。如果 R4 足夠大,則較慢的放電速率允許 VUC 仍然約等于 VU。
在 C3 的充電間隔期間,C2 也通過 R4 充電。根據(jù) C2 和 R4 的值以及輸入信號(hào)的正向脈沖的持續(xù)時(shí)間,電壓 VMID 也許會(huì)超過輸入信號(hào)的低電平 VL。如果 VMID 超過 VL,則比較器 IC2B 在 VIN 接近 VL 時(shí)切斷,并且在 VOUT 產(chǎn)生的低電平導(dǎo)致 IC1A 和 IC1B 改變狀態(tài)。電容器 C4 現(xiàn)在通過 R1 和各開關(guān)的導(dǎo)通電阻連接到 VIN,并且迅速充電使 VLC 約等于 VL 的電平。
根據(jù)元件值和輸入信號(hào)的時(shí)序參數(shù),在電路的電壓電平穩(wěn)定在各自的靜態(tài)值(在此,VUC≈VU,VLC≈VL,VMID≈VM)之前,也許會(huì)過去幾個(gè)周期。但是,精心挑選的元件確保了電路迅速達(dá)到平衡。如要確保比較器在VIN降至低于VU或升至高于VL時(shí)正確切斷,就要求R1在VIN 和IC2A的反相輸入端之間提供至少100Ω ~ 1 kΩ 阻抗。更高的值會(huì)導(dǎo)致C4和C3充電緩慢。在許多設(shè)計(jì)中,IC1B和IC1C的組合導(dǎo)通電阻也許允許省略R1。
IC1B、IC1C 和 IC2A 的存在確保了 C3 在 VIN 接近或等于 VU 時(shí)能充電,并且 C4 只在 VIN 接近或等于 VL 時(shí)才能充電。如果沒有 IC1B、IC1C 和 IC2A,即 VIN 直接連到 R1,C3 就會(huì)在 VIN 位于 VU 和 VM 之間的下坡放電,并因此拉低 VUC。與此類似,C4 將繼續(xù)在 VIN 位于 VL 和 VM之間的上坡充電,并因此拉高 VLC。雖然 VMID 也許約等于 VM,但這種最小程度的配置的性能較差,特別是對(duì)于小信號(hào)以及在極端的占空比時(shí)。
圖1中的元件為5 kHz~50 kHz 的輸入頻率產(chǎn)生了良好結(jié)果。低于5 kHz 的頻率也許需要較大的電容器值,高于50 kHz的頻率也許需要降低各電容器值并選擇具有最短響應(yīng)時(shí)間的比較器。借助適當(dāng)選擇的元件,電路在達(dá)到或超過128 kbps時(shí)性能很好。
R5、R4、C2 的值以及(在較低程度上)各模擬開關(guān)的導(dǎo)通電阻和 R1、C4 和 C3 決定了電路對(duì)輸入信號(hào)振幅或平均電平突然變化的響應(yīng)時(shí)間。如果使 C2 約為 C4 和 C3 的十分之一,就能確保迅速的響應(yīng)時(shí)間,但太小的值會(huì)在 VMID 上產(chǎn)生過多的紋波和噪聲。為了實(shí)現(xiàn)可靠工作,應(yīng)使用等值的 100 kΩ ~ 1 MΩ精密公差電阻器作為 R4 和 R5。如果使用高值電阻器作為 R4 和 R5,就應(yīng)選擇具有低輸入偏置電流的比較器作為 IC2。為了檢測(cè)那些也許會(huì)接近正電源、0V或同時(shí)接近二者的信號(hào),應(yīng)確保 IC2 提供滿擺幅輸入能力。用低阻抗陶瓷電容器為每個(gè) IC 的電源旁路。
請(qǐng)注意:如果沒有輸入信號(hào)(即向 VIN 施加直流電平時(shí)),VOUT 也許會(huì)包含隨機(jī)脈沖,它們是由噪聲以及各比較器保持 VMID 等于 VIN 的平均直流電平的嘗試導(dǎo)致的。為了消除這些脈沖,應(yīng)撤消 C1 以便用“正常的”滯后作用代替時(shí)間滯后作用,但應(yīng)確保 R2 和 R3 設(shè)置的滯后電平與最小輸入信號(hào)振幅相比不會(huì)過大。
圖2顯示了電路對(duì)占空比約為 5%、振幅為75mV的帶寬有限輸入信號(hào)的響應(yīng)。水平跡線VMID整齊地把波形一分為二。底部跡線顯示了位于VOUT的重建信號(hào)。在圖3中,電路處理了約為200 mV p-p的電感耦合收發(fā)器(上部跡線)的實(shí)際輸出。同樣,下方的跡線顯示了位于VOUT的重建信號(hào)。
評(píng)論