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CCD成像器件的噪聲分析

作者: 時間:2010-11-23 來源:網(wǎng)絡 收藏

電荷耦合(charge coupled device,)是目前攝像機常用的圖像傳感器。隨著技術的不斷發(fā)展和應用,人們對的性能和數(shù)字化提出了更高的要求。對于CCD的開發(fā)和使用,使得CCD的性能得到進一步增強和改進是研究者永恒的課題,具體體現(xiàn)在以下幾個方面:使器件的工作的速度更快;動態(tài)范圍更寬;在單個器件上集成更多的像素;更低等。這些研究課題不會因為某個人做過類似的研究就使新的研究沒有意義。人們永遠需要更快的器件,更寬的動態(tài)范圍,更多的像素和更低的。

1 CCD器件的概念及其分類

電荷耦合器件是一種金屬-氧化物-半導體結(jié)構(gòu)的新型器件,其基本結(jié)構(gòu)是一種密排的MOS電容器,能夠存儲由入射光在CCD像敏單元激發(fā)出的光信息電荷,并能在適當相序的時鐘脈沖驅(qū)動下,把存儲的電荷以電荷包的形式定向傳輸轉(zhuǎn)移,實現(xiàn)自掃描,完成從光信號到電信號的轉(zhuǎn)換。通常這種電信號是符合電視標準的視頻信號,可在電視屏幕上復原成物體的可見光像,也可以將信號存儲在磁帶機內(nèi),或輸入計算機,進行圖像增強、識別、存儲等處理。因此,CCD器件是一種理想的攝像器件。

普通的科學CCD器件在微光下探測能力受到限制,不適合微光。隨著光電技術的發(fā)展,出現(xiàn)以下幾種微光CCD成像器件:增強型CCD(ICCD),電子轟擊CCD(EBCCD)和電子倍增CCD(EMCCD)。

2 CCD成像器件的

電荷耦合器件(CCD)已經(jīng)普遍應用于科學成像。它在成像方面有如下幾方面優(yōu)勢:

(1)具有比其他可用探測器更高、更寬的量子效率;

(2)僅由像素大小決定的很高分辨率;

(3)實際上沒有串擾和像暈圈的分辨缺陷。

但是不管在什么樣的情況下,信號出現(xiàn)時總是有噪聲相伴隨的,當然用CCD成像耦合器件也不例外。噪聲是決定畫質(zhì)的重要因素。

CCD圖像傳感器的輸出信號是空間采樣的離散模擬信號,其中夾雜著各種噪聲和干擾,而噪聲會影響CCD成像器件探測微弱光的能力。

對于光電器件來說,其能否探測到足夠小的輻射功率,是至關重要的問題。所以一般都把最小可探測輻射功率列為一切光電探測器件的重要參數(shù)。定義Pmin為當輸出信號電壓等于輸出噪聲電壓均方根值時的探測器入射輻射功率。因此可得入射輻射功率為:



式中:P為入射輻射功率;un為噪聲電壓均方值;Us為輸出信號電壓;Pmin為最小可探測功率。Pmin越小,器件的探測能力越強,也就是探測微弱光的能力越強。由式(1)可知,在輸出信號電壓一定的情況下,噪聲un越小,Pmin就越小。器件探測微弱光的能力也就越強。因此,對CCD信號進行處理的目的就是在不損失圖像細節(jié)的前提下,盡可能地消除噪聲和干擾,以提高信噪比,獲取高質(zhì)量的圖像。為此,必須對CCD噪聲的種類、特性有所了解,針對各種噪聲進行相應的去噪處理。所以對CCD成像器件噪聲部分的研究,有利于提高CCD成像器件的分辨率,也能提高探測微弱光的能力。2.1 轉(zhuǎn)移噪聲

當電荷包由一個勢阱轉(zhuǎn)移到另一個勢阱時,由于種種原因,會從前一個電荷包中得到一些電荷,同時還會向后一電荷包留下一些電荷。這些電荷的量都是隨機的,所以會出現(xiàn)漲落,構(gòu)成噪聲??紤]到在每次轉(zhuǎn)移中都包括得到電荷和失去電荷2個過程,所以漲落噪聲應取為二者之和。如有完全電荷轉(zhuǎn)移模型,則得失電荷相等,故噪聲為單一過程的二倍。當Nε1時,各次轉(zhuǎn)移過程中的漲落是獨立的,則N次轉(zhuǎn)移的漲落噪聲為:



式中:Ns為每個電荷包中的信號載流子數(shù);Ns0為每個電荷包中的基底載流子數(shù)。

2.2 復位噪聲

復位噪聲是因為開關介入電容帶來的電壓,當開關切到OFF后出現(xiàn)噪聲,也是采樣電路必然發(fā)生的噪聲。即使是CCD圖像傳感器,在信號電荷檢測之前,必須復位FD電源電壓等,復位后恢復基準的FD電源電壓,就會加上噪聲kTC。

當二極管輸出信號之后,為了連續(xù)接收下一個電荷包,需要將其電壓復位。由MOST構(gòu)成的復位電路,在工作時必然有噪聲饋入輸出電路。這種噪聲即復位噪聲可以通過相關雙取樣法加以消除??梢园褟臀贿^程看作通過電阻R對電容C的光電過程。

QC(t)所產(chǎn)生的噪聲為:



2.3 散粒噪聲

即使光強度一定,由于光具有光子的粒子特性,一次儲存時間內(nèi)入射到光電二極管的光,其每次的光子數(shù)不會相同,這樣的變動特性引發(fā)出了光的散粒噪聲。光散粒噪聲和暗電流散粒噪聲一樣,將入射光電二極管的光子數(shù)Ns的平方根當作光散粒噪聲Nn。舉例來說,假設光強使一個光電二極管內(nèi)發(fā)生10 000個信號電荷的條件下,發(fā)生100個光散粒噪聲,信噪比為40 dB。

總的說來,器件的散粒噪聲公式如下:



根據(jù)式(4)可得出,要想提高散粒噪聲,使其成為主要噪聲來源,最直接的方法就是提高電子增益G。

2.4 暗電流噪聲

對于CCD圖像傳感器而言,導致暗白點、白色損傷或顆粒的原因是由于光電二極管的暗電流,這也是決定畫質(zhì)最重要的因素。固定圖像噪聲的起因是各像素中暗電流不均勻,即使沒有入射光一樣會發(fā)生,它與噪聲信號電壓的儲存時間成正比,并具有與溫度密切相關的性質(zhì),如式(5)所示:



由式(5)可以看出,暗電流噪聲的大小與溫度關系密切。另外,它還與點荷包在勢阱中存儲的時間長短有關,存儲時間越長,暗電流噪聲越大。

3 抑制CCD圖像傳感器噪聲的方法

圖像質(zhì)量的時候,要考慮其信噪比,信噪比越高,圖像的質(zhì)量就越好。因此必須對決定CCD圖像傳感器性能的信噪比,進行綜合性評估。

首先,一旦改變攝影條件,隨著噪聲種類的不同,有些會變得比較明顯,有些會出現(xiàn)大小的替換??紤]到攝影條件中的溫度,總體來說,隨機噪聲與絕對溫度的平方根成正比;另一方面,在固定圖像噪聲中,溫度每升高10℃,暗電流噪聲就會提高2倍,具有很強的溫度相關性。因此降低溫度可以減小隨機噪聲和暗電流噪聲。

此外,考慮光強度的關系,光的散粒噪聲與信號電荷量的平方根成正比,當光強度增加時,信噪比會變得越大,并且暗電流與信號的儲存時間成正比。存儲時間越長,暗電流噪聲就越大。因此應盡量減低電荷的轉(zhuǎn)移時間。

對于轉(zhuǎn)移噪聲,可以采用提高襯底電壓或者CCD電壓取反倒置來消除界面態(tài)的俘獲噪聲,并且降低器件的運行溫度也可以使俘獲的噪聲明顯呈指數(shù)減小。另外,也可以將CCD在序列圖像取出之前放電,這樣也能有效減小轉(zhuǎn)移噪聲。對于輸出的復位噪聲,一般采用相關雙采樣電路來消除。

圖1是相關雙采樣的原理電路。根據(jù)圖1相關雙采樣電路的工作原理。當開關打到t1時,復位電平為高電平的參考信號,經(jīng)過△τ時期,假設在電容C1上采樣保持的初始信號是n(t),這個信號包括復位電平、復位失調(diào)電壓和復位噪聲。當開關打到t2時刻,復位電平為低電平,此時的電平攜帶有用信號,經(jīng)過△τ的時期送到差分放大器輸入端的信號除了復位電平,復位失調(diào)電壓和復位噪聲外,還要外加有用的視頻信號,因此可以表述成n(t)+s(t)。這個信號與C1電容上保持的信號經(jīng)過差分運放輸出到C2電容之后,通過A/D轉(zhuǎn)換器輸出數(shù)字信號。最理想的情況是n(t)+s(t)-n(t)=s(t),剩下的信號只是有用的視頻信號。因此對照圖1可以看出,CCD信號出來后經(jīng)過CDS電路,輸出的就是有用的視頻信號,復位噪聲已經(jīng)消除。

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關鍵詞: 分析 噪聲 器件 成像 CCD

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