飛兆推出用于鎮(zhèn)流器的DPAK SuperFET™

導(dǎo)通阻抗僅為傳統(tǒng) 平坦化Planar 型 MOSFET 的三分之一

全新600V / 0.6 ~ 1.2 Ohm SuperFET系列器件采用DPAK封裝，
能提高效率并減少占位空間，有助于實(shí)現(xiàn)纖小型照明設(shè)計(jì)


飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor) 開發(fā)出新的低導(dǎo)通阻抗600V SuperFET™; MOSFET器件系列，專為滿足最新的超纖小型鎮(zhèn)流器應(yīng)用的DPAK (TO-252) 器件需求而設(shè)計(jì)。飛兆半導(dǎo)體DPAK封裝的 SuperFET器件的導(dǎo)通阻抗僅為傳統(tǒng)Planar型平坦化MOSFET的三分之一 (0.6 ~ 1.2 Ohm)，能將滿足高頻照明系統(tǒng)設(shè)計(jì)的系統(tǒng)效率需求且將開關(guān)和傳導(dǎo)損耗減至最小，并滿足這些快速轉(zhuǎn)換的照明設(shè)計(jì)的系統(tǒng)效率要求。這些器件還能可以承受鎮(zhèn)流器在極高頻率下可靠地工作所需的快高速電壓 (dv/dt) 和電流 (di/dt) 轉(zhuǎn)換開關(guān)瞬態(tài)效響應(yīng)。，能在高頻鎮(zhèn)流器中可靠的工作。

一般而言，當(dāng)標(biāo)準(zhǔn)MOSFET的擊穿電壓增大時(shí)，其導(dǎo)通阻抗RDS(on) 將隨之呈指數(shù)級增長，并導(dǎo)致芯片尺寸增大。飛兆半導(dǎo)體專有的SuperFET 技術(shù)則將RDS(on)與芯片尺寸的這種指數(shù)關(guān)系變?yōu)榫€性關(guān)系，這使SuperFET器件獲得非常出色的RDS(on) 和很小的芯片尺寸，甚至在600V擊穿電壓下亦然。飛兆半導(dǎo)體采用DPAK封裝的SuperFET器件是這種先進(jìn)封裝技術(shù)的最新成果。

飛兆半導(dǎo)體功能功率部副總裁Taehoon Kim表示：“DPAK封裝器件是我們的SuperFET 產(chǎn)品系列的最新成員，專為滿足照明系統(tǒng)制造商對提高能源效率和減少占位空間的要求而設(shè)計(jì)。利用我們專有的SuperFET技術(shù)，可以獲得極低的導(dǎo)通阻抗以減小MOSFET芯片尺寸，并實(shí)現(xiàn)600V/0.6 Ohm的 DPAK封裝產(chǎn)品。相比之下，通常用于照明應(yīng)用的600V/0.6 Ohm平坦化MOSFET器件則采用較大的TO-220或 D2PAK (TO-263) 封裝。飛兆半導(dǎo)體的DPAK SuperFET技術(shù)為我們的客戶提供了采用更緊湊封裝的低導(dǎo)通阻抗器件，從而滿足了市場對更纖小化電子鎮(zhèn)流器不斷增長的需求。”
除了用于鎮(zhèn)流器的DPAK封裝器件外，飛兆半導(dǎo)體并針對照明、有源功率因數(shù)校正 (PFC) 和 AC/DC電源系統(tǒng)提供全面的SuperFET產(chǎn)品系列。要了解有關(guān)SuperFET產(chǎn)品系列的更多信息，請?jiān)L問網(wǎng)頁http://www.fairchildsemi.com/superfet。