基于ATmega128的DHT11溫濕度傳感器的使用

DHT11和DS18B20一樣，都是單總線芯片，同DHT10不同，它的四根引腳中有一條是空腳，與DS18B20相似，對(duì)時(shí)序的要求比較高，不同之處在于寫程序的時(shí)候數(shù)據(jù)的采集必須間隔1s以上，不然采集會(huì)失敗。

還有，DHT11的數(shù)據(jù)口最好要接一個(gè)上拉電阻，或者單片機(jī)內(nèi)部上拉也可以。

DHT11的數(shù)據(jù)手冊網(wǎng)上有，上面有時(shí)序操作的詳細(xì)介紹。個(gè)人建議寫這個(gè)程序的時(shí)候要一邊寫一邊檢測(比如寫完復(fù)位子程序之后就在主函數(shù)中調(diào)用它一次，看它是否執(zhí)行成功。。。)，不然很可能到最后找不到錯(cuò)誤出在哪里，本人就是一直寫完然后不好使，最后又重寫的!

閑話不說了，下面幫助大家分析一下DHT11的時(shí)序圖(數(shù)據(jù)手冊上有)，因?yàn)镈HT11對(duì)時(shí)序的要求很高，所以很可能寫完程序不好使。本人建議：延時(shí)子函數(shù)最好自己用示波器檢測一下，自己算出來的在10us下誤差會(huì)很大的。

進(jìn)入正題：下面我說的話可以參照下面的程序看。

數(shù)據(jù)手冊前面的一些內(nèi)容自己了解就可以了，先看數(shù)據(jù)手冊上主機(jī)復(fù)位信號(hào)和DHT11相應(yīng)信號(hào)那部分。

主機(jī)先控制總線，拉低至少18ms，然后再拉高20~40us，(這時(shí)如果硬件沒有問題的話DHT11會(huì)有響應(yīng)的)所以現(xiàn)在主機(jī)釋放總線(把DDRXN 寄存器清零)，等待DHT11的響應(yīng)，如果成功DHT11會(huì)產(chǎn)生40~50us的低電平，和40~50us的高電平。這里可以由程序完成檢測。

接下來在一次采集中，把總線一直交給DHT11，它會(huì)給主機(jī)傳送一個(gè)40位的二進(jìn)制數(shù)，前0~7位是濕度的整數(shù)部分，8~15位是濕度的小數(shù)部分;16~23位是溫度的整數(shù)部分，24~31位是溫度的小數(shù)部分;最后八位是校驗(yàn)位。這些數(shù)據(jù)要通過程序進(jìn)行處理，轉(zhuǎn)換成溫濕度的實(shí)際值，并由顯示部分顯示出來。(本人用的是數(shù)碼管，建議用1602顯示會(huì)更方便一些)。

后面的處理部分我就不一一講解了，我在程序中是有注釋的，自己把程序加入到工程中看效果會(huì)好很多的，也可以用專門的閱讀軟件來看(source insignte)，不然字體都一個(gè)顏色非常亂。

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//這里是delay.h /*************我開發(fā)板的晶振是16M的，具體的延時(shí)子函數(shù)要自己仔細(xì)寫*************/

#ifndef __DELAY_H

#define __DELAY_H

void delay_us(unsigned int xus);

void delay_ms(unsigned int xms);

#endif

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//這里是delay.c

#includedelay.h

#include

//延時(shí)微妙子函數(shù)

void delay_us(unsigned int xus)

{

unsigned int i,j;

for(i=0;i

{

NOP();NOP();NOP();NOP();NOP();NOP();

NOP();NOP();NOP();NOP();

}

}

//延時(shí)毫秒子函數(shù)

void delay_ms(unsigned int xms)

{

unsigned int i,j;

for(i=0;i

{

for(j=0;j2288;j++);

}

}

================================================

//這里是dht11.h

#ifndef __DHT11_H

#define __DHT11_H

#ifndef __IOM128V_H

#include

#endif

#ifndef __MACROS_H

#include

#endif

#define DDR_1 DDRC|=BIT(PC0)

#define DDR_0 DDRC=~BIT(PC0)

#define PORTC_1 PORTC|=BIT(PC0)

#define PORTC_0 PORTC=~BIT(PC0)

#define DQ (PINC0x01)

void caiji(void);

long int dht(void);

void init_dht11(void);

//void ceshi(void);

#endif

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//這里是dht11.c

#includedht11.h

unsigned char dht_data[5],a,b;

unsigned int s1,s0,t1,t0,sd,wd,wsd;

void caiji(void)

{

unsigned char i,j;

//delay_ms(900);

for(i=0;i5;i++)

{

dht_data[i]=0x00; //數(shù)組清零

for(j=0;j8;j++)

{

while(!DQ); //判斷是否為高電平

//延時(shí)50us若為高電平則為一，否則為零

delay_us(50);

if(DQ)

{

dht_data[i]|=BIT(7-j); //保存數(shù)據(jù)

while(DQ);//低電平檢測

}

}

}

}

void init_dht11(void)

{

DDR_1; //設(shè)置主機(jī)輸出

PORTC_0; //總線拉低至少18ms

delay_ms(20);

PORTC_1; //總線由主機(jī)拉高大約30us

delay_us(30);

DDR_0; //主機(jī)設(shè)置為輸入，檢測從機(jī)信號(hào)

while(DQ);

}

long int dht(void)

{

init_dht11();

if(!DQ)

{

while(!DQ);

while(DQ); //經(jīng)以上兩句后開始接收信號(hào)

caiji();

DDR_1;

PORTC_1;

//校驗(yàn)

a=

(

dht_data[0]+dht_data[1]+dht_data[2]+dht_data[3]

);

if(a==dht_data[4])

{

s1=dht_data[0];

s0=dht_data[1];

t1=dht_data[2];

t0=dht_data[3];

}

//s為濕度，t為溫度

sd=s1;

sd=8;

sd|=s0;

wd=t1;

wd=8;

wd|=t0;

wsd=sd16;

wsd|=wd;

}

return wsd;

}

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//這里是xianshi.h

#ifndef __XIANSHI_H

#define __XIANSHI_H

#ifndef __IOM128V_H

#include

#endif

#define SCK_0 PORTB=~(1

#define SCK_1 PORTB|=(1

#define LCK_0 PORTB=~(1