相變存儲(chǔ)器的高可靠性多值存儲(chǔ)設(shè)計(jì)

由于監(jiān)測(cè)某一數(shù)據(jù)位是否出錯(cuò)的過(guò)程不依賴(lài)其他數(shù)據(jù)位，因此該方法可以實(shí)現(xiàn)傳統(tǒng)方法難以實(shí)現(xiàn)的“全部數(shù)據(jù)位的錯(cuò)誤監(jiān)測(cè)(all-error-detection ，AED) ”。 錯(cuò)誤監(jiān)測(cè)通過(guò)外圍2 個(gè)如圖6 所示的S/A 及相關(guān)的比較電路實(shí)現(xiàn):一個(gè)S/A 使用各“禁區(qū)”的下限值(1/g ，1/e ，1/c ，1/a ，b ，d ，f ) 與阻值比進(jìn)行比較：另個(gè)S/A 使用相應(yīng)的上限值(1/f ，1/d ，1/c ，a ，c ，e ，g) 與阻值比進(jìn)行比較。 當(dāng)某一“禁區(qū)”的2 個(gè)邊界值(如a 和1/a) 與阻值比相比較的結(jié)果不同時(shí)，即說(shuō)明此時(shí)的阻值比已落入該禁區(qū)( a 和1/a 對(duì)應(yīng)禁區(qū)[1/a ，a ]) ，則可能的原狀態(tài)只可能為與該禁區(qū)緊鄰的2 狀態(tài)之一(禁區(qū)為[1/a ，a ] ，則可能的2 狀態(tài)為R2/R1 或R1/R2) 。 后繼ECC 電路再由此縮小的范圍繼續(xù)判斷，電路復(fù)雜度將大大簡(jiǎn)化(具體電路這里略) 。 正常狀態(tài)的比較結(jié)果見(jiàn)表2。

表2 　帶有ECC電路時(shí)的輸出狀態(tài)的真值表