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低功耗手持多媒體終端硬件平臺的研究

作者: 時間:2010-11-15 來源:網(wǎng)絡 收藏

 摘要:通過選擇器件,特別是高效率DC/DC變換器,合理進行電路板布線,優(yōu)化結構級設計,進行系統(tǒng)級功率管理,從而延長工作時間。根據(jù)多媒體終端的要求,選擇了許多新工藝器件,極大地降低了系統(tǒng)功耗。

本文引用地址:http://www.butianyuan.cn/article/166344.htm

關鍵詞: OMAP1510 能源效率 DC/DC變換器

  手機、PDA等手持設備對圖像、音頻處理能力的要求日益提高,同時要求設備的體積、重量越來越小。這些設備一般靠單節(jié)可充電鋰作為。因而提高處理能力,降低系統(tǒng)功耗以延長工作時間是手持設備的重要研究課題[1]。

  參考文獻[1]討論了的系統(tǒng)設計技術,特別強調(diào)減小電容,縮減不必要的開關行為,降低電壓和頻率。外部器件間的連接通常比片上連接電容更大。實驗證明10%~40%的能量消耗在總線多工器驅動器上。應減少輸出,盡量使用片上資源。單純降低頻率并不能降低功耗,因為完成同樣的任務需要更長的時間。降低電壓會導致性能降低,通過增加并行器件來彌補。選擇低電壓的CMOS芯片,芯片內(nèi)各個功能模塊應能分別進行低功耗的管理。CMOS器件的功耗主要分兩類:靜態(tài)功耗和動態(tài)功耗。運態(tài)功耗依賴于工作頻率,靜態(tài)功耗與工作頻率無關。偏置電流(Pb)和泄漏電流(Pl)引起靜態(tài)功耗,短路電流(Psc)和動態(tài)功耗(Pd)是由電路的開關行為引起的。器件總功耗P可以表示為:

P=Pd+Psc+Pb+Pl

Pd=Caff V2 f

Ceff= C

  上式中,V和f分別是器件工作電壓和頻率,Ceff是等效的開關電容,C是允放電電容,是活躍性加權因子,表示電路狀態(tài)發(fā)生改變的概率。CMOS器件功耗的85~90%是動態(tài)功耗,而動態(tài)功耗與工作電壓的平方成正比。因此選擇低電壓器件能極大地降低功耗。

1 主處理器選擇

  目前在手持設備中,主要運用ARM處理。ARM處理器的優(yōu)點是價格低、功耗小,特別適合各種控制功能[2]。ARM芯片采用馮·諾依曼結構,指令、數(shù)據(jù)地址存儲統(tǒng)一編址,使用單一的32位數(shù)據(jù)總線傳送指令和數(shù)據(jù)。這種體系結構使ARM控制功能較強,媒體處理速度較慢,適合人機接口和通信協(xié)議。為了提高媒體處理能力,INTEL在PXA250 Xscale芯片上增加了協(xié)處理器,用來進行乘累加。TI的OMAP1510芯片內(nèi)部集成了一個ARM925核及一個C55X核。ARM工作頻率高達175MHz。C55X采用哈佛結構,具有程序總線、三條讀數(shù)據(jù)總線和二條寫數(shù)據(jù)總線。C55X具有兩個硬件乘累加單元、兩個ALU,還有用于DCT/IDCT、運動估計、1/2像素內(nèi)插的硬件加速器。工作電壓1.6V,視頻高達到200MHz。C55x指令集從8~48比特,改善了代碼密度,減少了存儲器訪問次數(shù)。

2 最小單片機系統(tǒng)(存儲器)

  目前存儲器主要有:SRAM、SDRAM、FRAM、EEPROM、FLASH。由于平臺常存儲大量數(shù)據(jù),如操作系統(tǒng)應用程序,可以選擇FLASH,如INTEL 28F128L18[3]。28F128L18初始訪問時間是85ns,異步頁模式為25ns,同步突發(fā)為54MHz,能在讀周期完成后自動進入功率節(jié)省模式,片選無效或復位有效時進入standby模式,電流大約50uA,異步讀電流大約18mA。為了回快應用程序的招執(zhí),配置SDRAM或者SRAM。由于SDRAM比SRAM容量大、價格便宜,選用SDRAM用于數(shù)據(jù)存儲。由于系統(tǒng)在運行時,大功耗元件除LCD背景光外,就是SDRAM。償和部分陣列刷新的Mobile SDRAM產(chǎn)品對降低功耗十分重要。如SAMSUNG K4M28163PD-RS1L,自動刷新電流85mA,4 bank激活突發(fā)模式為50mA,可使能SDRAM自動預充。這樣在每次突發(fā)讀寫后,該bank進入空閑狀態(tài),電流可降到5.5mA。OMAP1510對K4M28163PD-RS1L進行控制時,應置K4S56163-RR75為全頁突發(fā),以減小訪問時間,降低功耗。系統(tǒng)常有一些數(shù)據(jù)量不大的數(shù)據(jù)需要保存,可采用鐵電存儲器,如聲音的音量、LCD的亮度。這些參數(shù)如果保存到FLASH或者EEPROM,功耗會更大。FLASH需要整塊擦除。RAMTRON的FM24CL16在3V100kHz頻率讀寫時,電流為75uA,standby電流為1uA。ATMEL AT24C16在5V 100kHz讀寫電流分別是0.4mA、2mA,在2.7V時standby電流為1.6uA。AT24CL16字節(jié)寫入時間大約10ms,F(xiàn)M24CL16寫入時間總為線時間,不需延時,因而功耗較小。SDRAM與FLASH、SRAM采用不同的接口,在調(diào)試ARM中斷服務程序時,由于中斷服務矢量位于低端地址,調(diào)試時最好有SRAM映射到0地址處。因此SRAM和FLASH的片選信號應該是可配置的。SRAM可選用Cypress CY62157DV18,典型工作電流10mA,standby電流為2uA。

3 其它周邊元件

  LCD顯示屏應用透射反射型,如SHARP LQ035Q7DB02。反射型LCD在強光條件下有明亮的高對比度,但在弱光條件下需要更高的亮度。SHARP把反射型LCD與背后點亮透射型LCD技術相結合,在強光條件下用作反射型LCD,在弱光條件下用作背后點亮透射型LED時功耗為350mW。Xilinx CoolRunner-II CPLD使用了快速零功耗技術。在手持多媒體終端中,圖像采集模塊和聲音采集模塊數(shù)據(jù)量大,因此除靜態(tài)功耗外,還應綜合考慮接口電壓高低,即數(shù)據(jù)傳輸引起的動態(tài)損耗。

4 產(chǎn)生

  鋰離子電池是目前應用最為廣泛的鋰電池,可充電的鋰離子電池的額定電壓為3.6V(有的產(chǎn)品為3.7V)。充滿電時的終止充電電壓與電池陽極材料有關:陽極材料為石墨的4.2V;陽極材料為集炭的4.1V。不同陽極材料的內(nèi)阻也不同,焦炭陽極的內(nèi)阻略大。鋰離子電池的放電曲線平坦,終止放電電壓為2.5V~2.75V。在通常的固定頻率DC/DC變換器中,主要有三類功率損失:(1)負載電流相關的損失,主要包括MOSFET的導通電阻、二極管正向導通壓降、電感電阻、電容等效串聯(lián)電阻;(2)開關頻率相關的損失有MOSFET的輸出電容柵極電容及門驅動損失等;(3)其它固定損失,如MOSFET、二級管、電容泄漏電流損失。在大負載電流時,主要是電流相關功率損失,在小負載情況下,主要是頻率相關功率損失。在負載電流范圍較寬時,采用調(diào)頻方式效率更高[9]。文獻[10]討論了在斷續(xù)導通和連接導通模式時提高效率的控制方法。很DC/DC變換器都能上固定頻率或在輕負載時以跳脈沖方式工作。這兩種方式切換可由芯片外部控制(如TI的TPS60110、PINEAR的LTC3440),也可由芯片內(nèi)部自動控制,如Philips的TEA1207。如果由芯片管理腳控制,則由ARM控制:ARM處理器控制各個功能模塊掉電或者空閑,分別測出功能模塊不同狀態(tài)下的工作電流,并根據(jù)負載電流值,結合電源芯片的兩種模式下的效率曲線或者其它電路參數(shù),選擇高效率的工作方式。

  OMAP應用平臺需要多種電源,如用于核的1.6V,用于FLASH、SDRAM的1.8V或者2.75V,用于USB或者模擬音頻的3.3V,用于USB接口的5V,用于LCD供電碼的+15V等。先升壓到5V,再用線性穩(wěn)壓器LDO降到低電壓1.5、1.8、2.5、2.8、3.0、3.3V等的方法效率較低,尤其是低電壓。TI的innovator主板上的1.6V、2.7V、3.1V、3.3V是這樣產(chǎn)生的:電池電壓經(jīng)過TPS60110(四片并聯(lián)輸出)得到5V,再分別經(jīng)過TPS76701 LDO線形穩(wěn)壓得到1.6V、2.7V、3.1V、3.3V。采用cuk電容變換器和低壓差線形穩(wěn)壓芯片LDO的優(yōu)點是不需電感、使用方便、成本低。采用以下方法提高電源效率:輸出電壓低于鋰電池最小放電電壓時,如2.5V、1.8V、1.6V,選擇單純的buck電感變換器;當輸出電壓高于鋰電池電壓降到2.5V時仍能正常工作的下變換芯片,能延長放電時間。對于3.3V,可使用LINEAR公司單片BUCKBOOST電感變換器如LTC3441f,在負載200mA、3.3V輸出時,在鋰電池放電電壓范圍內(nèi)效率高達90%。LTC3441占空比只能達到(1-150nsXf)%??稍O計BUCK-BOOST電感變換器,在鋰電池放電電壓下降到接近或等于器件工作電壓時,用作buck變換器時占空比達到100%,即輸入電壓通過電感到達輸出,沒有開關切換,沒有高頻切換損失,效率將害到最高。因為很多芯片都有較寬的電壓范圍。如28F128J3A VCC=2.7~3.6V,VCCQ=2.7~3.6V;ADS7846 VCC=2.2~5.25V;LAN91C96 VCC=3.3V+10%;AT24C04 VCC=1.8~5.5V。鋰離子電池在3.3V左右放電時間較長,能更大限度提高電源效率,延長電池壽命。

下面是電源方案:

鋰電池-TEA1200(或TEA1201TS)-L1.5V(或者1.8V);

鋰電池-LTC3441-3.3V(或者1.8V,3.0V,5V)(效率可高達96%);

鋰電池-TEA1200(或TEA1201TS,TPS60110)-5V(效率可高達95%)。

  在手持設備中,一節(jié)鋰電池供電,輸出多種電壓電源。電池工作時間長短,不僅取決于各器件的低功耗、電源變換器的能源效率,還取決于系統(tǒng)對器件的功耗管理和軟件功耗。



關鍵詞: 低功耗 電源 電池

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