光電探測(cè)器陣列CCD轉(zhuǎn)移特性

為了減小氧化層殘余電荷引起界面陷阱中心使載流子消失以提高轉(zhuǎn)移效率，可以在氧化層和襯底之間增加一層隱埋層使轉(zhuǎn)移溝道從表面移向體內(nèi)。由圖1(b)可以看出，勢(shì)能極小值脫離了界面進(jìn)入了體內(nèi)，避免了表面態(tài)的影響，因此大大提高了轉(zhuǎn)移效率。