波導(dǎo)SOl化學(xué)氣相沉積工藝特點

對于SOl波導(dǎo)來說，CVD技術(shù)一般用來淀積其上包層，通常為二氧化硅或氮化硅。

對于調(diào)制器等有源器件來說，這一層還起著隔離金屬電極減小電極對波導(dǎo)造成損耗的作用，所以厚度一定要選擇合適，不能太薄，如果薄了就不能起到隔離金屬的作用;但也不能太厚，因為如果太厚，金屬覆蓋也存在問題。

對于波導(dǎo)器件如波導(dǎo)分束器(Y分支、S彎曲分支)等器件來說，波導(dǎo)上包層的覆蓋比較困難，因為這種分支的角度一般很小(小于1°)，直接導(dǎo)致分支間距很小，這就存在著上包層覆蓋填充的問題，如果填充不好，就會留有空隙，對波導(dǎo)器件性能造成不利的影響;對于有源器件來說還有可能造成上層金屬斷路。所以如何選擇合適的溫度、氣流、摻雜劑含量使得上包層填充覆蓋完好是至關(guān)重要的。