Ramtron推出帶有高速SPI接口的512Kb FRAM

采用微型封裝提高數(shù)據(jù)采集能力

針對(duì)打印機(jī)和電機(jī)控制應(yīng)用的半兆位3V串行FRAM — FM25L512

世界頂尖的非易失性鐵電存儲(chǔ)器 (FRAM) 和集成半導(dǎo)體產(chǎn)品供應(yīng)商Ramtron International 公司宣布推出512 Kb的3V非易失性 FRAM器件 -- FM25L512，帶有高速串行外設(shè)接口 (SPI)。該款器件采用8管腳微型封裝，能夠提高數(shù)據(jù)采集和存儲(chǔ)能力，并且削減應(yīng)用成本和PCB空間，應(yīng)用領(lǐng)域從多功能打印機(jī)到工業(yè)用電機(jī)控制器等。 

        Ramtron 副總裁Mike Alwais稱：“FM25L512為我們的256Kb 串行FRAM用戶在相同的小占位面積中提供雙倍的存儲(chǔ)容量。這樣，系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員在下一代的打印機(jī)和電機(jī)控制設(shè)計(jì)中，無需增大線路板面積便可提高數(shù)據(jù)采集能力?！?

產(chǎn)品特性

        Ramtron 的FM25L512是帶有工業(yè)兼容SPI接口的512Kb非易失性FRAM，充分發(fā)揮了FRAM技術(shù)的高速寫入能力。該硬件上可以直接替代相應(yīng)的EEPROM，而且性能更佳，并能以高達(dá)20MHz的總線速度執(zhí)行無延時(shí)的讀寫操作，同時(shí)提供10年的數(shù)據(jù)保存能力，以及幾乎無限的讀寫次數(shù)和極低的工作電流。FM25L512 器件的工作電壓為3.0 到 3.6V，可在 -40 ℃ 至 +85℃ 的工業(yè)溫度范圍內(nèi)操作。

產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)

        對(duì)于那些需要頻繁且快速寫入操作及/或低功耗工作的應(yīng)用而言，F(xiàn)M25L512的性能凌駕同類的非易失性存儲(chǔ)器解決方案。這些應(yīng)用包括從先進(jìn)的數(shù)據(jù)采集 (該應(yīng)用中讀寫壽命非常重要) 到要求嚴(yán)苛的工業(yè)控制 (該應(yīng)用中較長(zhǎng)得寫入等待時(shí)間和較短得讀寫壽命會(huì)導(dǎo)致數(shù)據(jù)丟失) 等各種應(yīng)用。與串行EEPROM 不同，F(xiàn)M25L512能以總線速度執(zhí)行無等待寫入操作，而且功耗更低。