LED芯片使用過(guò)程中經(jīng)常遇到的問(wèn)題及解析方案

　1.正向電壓降低，暗光

　　A：一種是電極與發(fā)光材料為歐姆接觸，但接觸電阻大，主要由材料襯底低濃度或電極缺損所致。

　　B：一種是電極與材料為非歐姆接觸，主要發(fā)生在芯片電極制備過(guò)程中蒸發(fā)第一層電極時(shí)的擠壓印或夾印，分布位置。

　　另外封裝過(guò)程中也可能造成正向壓降低，主要原因有銀膠固化不充分，支架或芯片電極沾污等造成接觸電阻大或接觸電阻不穩(wěn)定。

　　正向壓降低的芯片在固定電壓測(cè)試時(shí)，通過(guò)芯片的電流小，從而表現(xiàn)暗點(diǎn)，還有一種暗光現(xiàn)象是芯片本身發(fā)光效率低，正向壓降正常。

　　2.難壓焊：(主要有打不粘，電極脫落，打穿電極)

　　A：打不粘：主要因?yàn)殡姌O表面氧化或有膠

　　B：有與發(fā)光材料接觸不牢和加厚焊線層不牢，其中以加厚層脫落為主。

　　C：打穿電極：通常與芯片材料有關(guān)，材料脆且強(qiáng)度不高的材料易打穿電極，一般GAALAS材料(如高紅，紅外芯片)較GAP材料易打穿電極，

　　D：壓焊調(diào)試應(yīng)從焊接溫度，超聲波功率，超聲時(shí)間，壓力，金球大小，支架定位等進(jìn)行調(diào)整。

　　3.發(fā)光顏色差異：

　　A：同一張芯片發(fā)光顏色有明顯差異主要是因?yàn)橥庋悠牧?a class="contentlabel" href="http://www.butianyuan.cn/news/listbylabel/label/問(wèn)題">問(wèn)題，ALGAINP四元素材料采用量子結(jié)構(gòu)很薄，生長(zhǎng)是很難保證各區(qū)域組分一致。(組分決定禁帶寬度，禁帶寬度決定波長(zhǎng))。

　　B：GAP黃綠芯片，發(fā)光波長(zhǎng)不會(huì)有很大偏差，但是由于人眼對(duì)這個(gè)波段顏色敏感，很容易查出偏黃，偏綠。由于波長(zhǎng)是外延片材料決定的，區(qū)域越小，出現(xiàn)顏色偏差概念越小，故在M/T作業(yè)中有鄰近選取法。

　　C：GAP紅色芯片有的發(fā)光顏色是偏橙黃色，這是由于其發(fā)光機(jī)理為間接躍進(jìn)。受雜質(zhì)濃度影響，電流密度加大時(shí)，易產(chǎn)生雜質(zhì)能級(jí)偏移和發(fā)光飽和，發(fā)光是開(kāi)始變?yōu)槌赛S色。

　　4.閘流體效應(yīng);

　　A：是發(fā)光二極管在正常電壓下無(wú)法導(dǎo)通，當(dāng)電壓加高到一定程度，電流產(chǎn)生突變。

　　B：產(chǎn)生閘流體現(xiàn)象原因是發(fā)光材料外延片生長(zhǎng)時(shí)出現(xiàn)了反向夾層，有此現(xiàn)象的LED在IF=20MA時(shí)測(cè)試的正向壓降有隱藏性，在使用過(guò)程是出于兩極電壓不夠大，表現(xiàn)為不亮，可用測(cè)試信息儀器從晶體管圖示儀測(cè)試曲線，也可以通過(guò)小電流IF=10UA下的正向壓降來(lái)發(fā)現(xiàn)，小電流下的正向壓降明顯偏大，則可能是該問(wèn)題所致。

　　5.反向漏電：

　　A：原因：外延材料，芯片制作，器件封裝，測(cè)試一般5V下反向漏電流為10UA，也可以固定反向電流下測(cè)試反向電壓。

　　B：不同類(lèi)型的LED反向特性相差大：普綠，普黃芯片反向擊穿可達(dá)到一百多伏，而普芯片則在十幾二十伏之間。

　　C：外延造成的反向漏電主要由PN結(jié)內(nèi)部結(jié)構(gòu)缺陷所致，芯片制作過(guò)程中側(cè)面腐蝕不夠或有銀膠絲沾附在測(cè)面，嚴(yán)禁用有機(jī)溶液調(diào)配銀膠。以防止銀膠通過(guò)毛細(xì)現(xiàn)象爬到結(jié)區(qū)。