高亮度LED的全方位測(cè)試
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光學(xué)測(cè)量中也需要使用正向電流偏置，因?yàn)殡娏髋cHBLED的發(fā)光量密切相關(guān)?？梢杂霉怆姸O管或者積分球來(lái)捕捉發(fā)射的光子，從而可以測(cè)量光功率。可以將發(fā)光變換為一個(gè)電流，并用電流計(jì)或者一個(gè)信號(hào)源-測(cè)量單元的單個(gè)通道來(lái)測(cè)量該電流。
6 反向擊穿電壓測(cè)試
對(duì)HBLED施加的反向偏置電流可以實(shí)現(xiàn)反向擊穿電壓(VR)的測(cè)試。該測(cè)試電流的設(shè)置應(yīng)當(dāng)使所測(cè)得的電壓值不再隨著電流的輕微增加而顯著上升。在更高的電壓下，反向偏置電流的大幅增加所造成的反向電壓的變化并不顯著。
評(píng)論