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藍(lán)相液晶技術(shù)的進(jìn)步

作者: 時(shí)間:2011-08-16 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/168875.htm

  對(duì)普通IPS、矩形、橢圓頂和反橢圓頂四種電極結(jié)構(gòu)(圖2- a) 模擬計(jì)算了器件的透射率- 電壓(T- V)曲線(xiàn)(圖2- b)。由圖可知,采用普通IPS 電極結(jié)構(gòu)時(shí),Vop=106V,透射率T=24.8%;采用矩形電極結(jié)構(gòu)時(shí),T 沒(méi)有什么變化,但是Vop 只有46V,其原因是矩形電極結(jié)構(gòu)中的水平電場(chǎng)沿z 方向不變;采用橢圓頂電極結(jié)構(gòu)時(shí),T 只有不大的改善,但是Vop 增加了;采用反橢圓頂電極結(jié)構(gòu)時(shí),T=32%,透射率比采用普通IPS 電極結(jié)構(gòu)時(shí)改善了29.8%。從提高透射率方面來(lái)講,反橢圓頂電極結(jié)構(gòu)是四種電極結(jié)構(gòu)中最好的,但是Vop 仍然偏高。圖2- c 所示為三種不同的電極形狀附近的透射率分布,可以清楚地說(shuō)明為什么采用反橢圓頂電極結(jié)構(gòu)時(shí)透射率最高。圖3所示為四種電極結(jié)構(gòu)下的電場(chǎng)分布。采用普通IPS電極結(jié)構(gòu)(圖3- a)時(shí),水平電場(chǎng)強(qiáng)度沿z 的正方向減弱,即越靠近上玻璃極板水平電場(chǎng)越弱,所以Vop高;采用矩形電極結(jié)構(gòu)(圖3- b)時(shí),水平電場(chǎng)強(qiáng)度沿z 方向不變,所以Vop 低;采用橢圓和反橢圓電極結(jié)構(gòu)(圖3- c、d)時(shí),水平電場(chǎng)強(qiáng)度沿z 的正方向的分布介于圖3- a 和圖3- b 之間。

  3.3 采用波浪形電極結(jié)構(gòu)降低驅(qū)動(dòng)電壓

  采用波浪形電極結(jié)構(gòu)可以獲得比采用梯形橫截面電極結(jié)構(gòu)更低的驅(qū)動(dòng)電壓和更高的透射率,其整體結(jié)構(gòu)如圖4 所示。盒被夾在偏振方向互相垂直的兩偏振片之間,為常黑模式。上下襯底表面都做成波浪形,兩表面上的導(dǎo)電層構(gòu)成公共(COM)電極和像素(PIX)電極。波浪形電極的傾角α 越大,水平電場(chǎng)分量就越強(qiáng),驅(qū)動(dòng)電壓便越低;波浪形的周期越長(zhǎng),在轉(zhuǎn)角處的透明死區(qū)面積比率降低,透射率便越高。波浪形表面襯底可以采用模壓或印刷工藝獲得,實(shí)現(xiàn)并不困難。在對(duì)圖4 結(jié)構(gòu)進(jìn)行模擬計(jì)算時(shí),取波浪形的周期為40μm、傾角為60°、Kerr 常數(shù)K 為12.7nm/V2。盒的間隙d 取3.5μm,但是垂直入射光經(jīng)過(guò)BP- LC 的距離更長(zhǎng),為d/cosα。



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