高效率、高調(diào)光比LED恒流驅(qū)動電路的設(shè)計方案
2.1 帶隙基準(zhǔn)(Bandgap)
圖2為采用共源共柵電流鏡, 可以改善電源抑制和初始精度的CMOS自偏置基準(zhǔn)電路。其中,R1和PH4組成啟動電路, 當(dāng)電源上電時, 若電路出現(xiàn)零電流狀態(tài), 此時VA為低, MOS管PH4開啟, 并向基準(zhǔn)核心電路中注入電流, 使得基準(zhǔn)電路擺脫零簡并偏置點, 當(dāng)電路正常工作時, 通過合理的設(shè)置P7和P8的寬長比, 使它們都處于深線性區(qū), 由于R2和R3阻值很大, 此時VA的大小接近輸入電壓, MOS管PH4關(guān)斷, 啟動結(jié)束。此外,由于VA的電壓接近電源電壓, 通過電阻R2和R3的分壓后, 電壓VB就能表征電源電壓, 從而在電源電壓低于設(shè)定值時, 輸出欠壓信號, 關(guān)斷功率管, 起到欠壓保護的功能。
圖2 帶隙基準(zhǔn)電壓源電路圖
由于基準(zhǔn)電路的輸入電壓最高可達到30V,而普通MOS管漏源和柵耐壓為5V。而且為了使電流鏡像更加匹配, P1、P2、P5、P7必須使用普通的MOS管。所以, 為了防止管子在高壓時被擊穿, 需在這些管子的漏源之間加入柵漏短接的厚柵氧MOS管作為保護管, 即PH1、PH2、PH3。
2.2 遲滯比較器(CS_COMP)
圖3為遲滯比較器等效電路圖, 其中VTH_H和VTH_L為BIAS模塊提供的偏置基準(zhǔn)電壓, 而CS為電流采樣模塊提供的采樣電壓。電流采樣和遲滯比較器模塊是組成該芯片的核心模塊, 通過這兩個模塊就可以很好的實現(xiàn)滯環(huán)電流控制。
圖3 遲滯比較器等效電路圖
電路工作時, 高端電流采樣模塊采樣輸出電流, 并按一定比例轉(zhuǎn)化成采樣電壓CS, 當(dāng)CS電壓大于VTH_H時, P_OFF為高, P_ON為低, M1關(guān)M2開啟, 此時COMP1_G負(fù)端輸入VTH_L,并且此時由于P_ON為低, 功率管關(guān)斷, LED電流開始減小, 采樣電壓也開始減小。當(dāng)CS電壓小于VTH_L時, P_OFF為低, P_ON為高, M1開啟,M2關(guān)斷, COMP_G負(fù)端輸入VTH_H, 此時P_ON為高, 功率管開啟, LED電流開始增大, 采樣電壓也開始增大。當(dāng)CS電壓大于VTH_H時, 遲滯比較器模塊將重復(fù)上一個周期的動作。這樣通過遲滯比較器就能產(chǎn)生一定占空比的方波來控制功率開關(guān)管關(guān)與斷, 從而有效控制外部LED的電流大小。
此外, 高端電流采樣和遲滯比較器模塊需要有較高的單位增益帶寬GBW, 從而提高電流采樣和遲滯比較的速度, 這樣就可以減少電路延遲,提高芯片的響應(yīng)速度, 同時也提高了芯片輸出電流精度。
2.3 模擬和PWM調(diào)光(DIM)
通常希望在不同的應(yīng)用場合和環(huán)境下, LED的發(fā)光亮度能夠隨著應(yīng)用和環(huán)境的變化隨時可調(diào), 這就需要LED驅(qū)動器具有調(diào)光的功能?,F(xiàn)在, 最常用的LED調(diào)光方式有: 模擬調(diào)光、PWM調(diào)光、數(shù)字調(diào)光等方式。
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