關鍵運算放大器基本特性與設計考量
從本征特性看,CMOSFET的穩(wěn)定性和噪聲特性,尤其是1/f噪聲,以及響應速度均不及雙極型晶體管;但其高輸入阻抗、低偏置電流、低耗電和結(jié)構(gòu)緊湊等優(yōu)勢雙極型器件難以企及。CMOS產(chǎn)品出現(xiàn)以來,改善其噪聲、穩(wěn)定性和速度的努力從來沒有中斷過。除了少數(shù)特別的應用場合,CMOS運放已取代了雙極型運放成為主力。例如SGM8551系列高精度運放可保證小于20μV的失調(diào)電壓和小于20nV/°的溫漂,各方面都超過了傳統(tǒng)的高精度運放,例如OP07,以及同類的LMV2011。SGM8551已成功用于6位半精度的過程校驗儀表。
高精度運算放大器的對應用工程意義明了、毋庸贅敘,其設計工程的挑戰(zhàn)則比較特別;高精度運放設計是專利集中的領域,很多電路方案和布線方案受到保護;新設計要在保護和利用的原則下創(chuàng)新。圣邦的高精度運放產(chǎn)品設計是業(yè)內(nèi)最新數(shù)據(jù)模型和部分創(chuàng)新的結(jié)合。
與在高精度測量放大系統(tǒng)中方案靈活多變不同,例如相關雙采樣方案、斬波調(diào)制放大方案和斬波跟蹤方案等等,高精度運算放大器的實現(xiàn)方案局限于精密跟蹤補償和交替自穩(wěn)零兩類基礎方案。
參考圖5,交替自穩(wěn)零方案的原理與斬波跟蹤放大器類似。信號通道上的第一級被分為兩個幾何分布完全一致的兩組;除了切換瞬間,總有一組在通過信號,保證了信號是被近似連續(xù)傳送和放大的;自穩(wěn)零校準則是交替進行的。不在傳遞信號的一組的失調(diào)被饋入調(diào)零通道,調(diào)節(jié)偏置使失調(diào)為零。
圖5: 交替自穩(wěn)零的原理示意圖。
高電壓運算放大器
在工業(yè)現(xiàn)場或者類似惡劣條件的場合,采用可直接工作在較高電壓的運放有利于提高可用率和執(zhí)行力。只是提高工作電壓對設計容限的改進是有限的;事實上大多數(shù)早期的雙極型運放可工作在較高電壓下,但不能在低電壓下工作?,F(xiàn)代意義下的高壓運放需要高適應性,包括大動態(tài)工作電壓范圍,滿幅輸入/輸出,抗高共模/差模和具備短期過壓寬限。以SGM8291為例,其工作電壓范圍是4.5V~36V,共模和差模均輸入允許到電源電壓,電源短期過壓可超過40V。
現(xiàn)代意義下的高壓運放是一個較新的運放品種,例如TI也只是在近期開始推廣其OPA171系列的高壓運放。這些高壓運放全部具有大動態(tài)、低電流的特點,以JFET或CMOS作為輸入,普遍采用BCD混合結(jié)構(gòu);其特性優(yōu)勢是雙極型高壓運放無法抗類比的。高壓運放的結(jié)構(gòu)與低壓運放的結(jié)構(gòu)不同,如輸入節(jié)要在大得多的共模電壓范圍內(nèi)保持穩(wěn)定的失調(diào)電壓,輸出節(jié)要承受大的柵-漏(或基-集)電壓。SGM8291在全電壓范圍內(nèi)失調(diào)不超過0.9mV并允許輸出長期短路。
圖6用來解釋如何實現(xiàn)這些特性所需要的結(jié)構(gòu)差異的一個示意方案(此示意圖并不暗示圣邦使用了這一結(jié)構(gòu))。其中CC1~CC3恒流源需要利用雙極型的本征恒流特性穩(wěn)定輸入差分對的偏置;A采用CMOS取得高增益;T1、T2采用DMOS實現(xiàn)高耐壓。低壓運放不需要這些組合。
圖6: 解釋高壓運放結(jié)構(gòu)差異的示意圖。
開發(fā)高壓運放、完善工業(yè)產(chǎn)品鏈的社會意義大于開發(fā)者的直接經(jīng)濟意義。盡管高壓運放對工業(yè)應用來講是不可或缺的,但實際上,其應用空間被低壓結(jié)構(gòu)系統(tǒng)不斷擠占。其一是因為在大多系統(tǒng)中信號最終被饋送到或者最初來自低壓的數(shù)字處理電路,低壓系統(tǒng)已具備系統(tǒng)級高設計容限;其二是外圍電路改進可利用低壓電路取得類似高壓器件的容限,分享低壓元件選擇性大、供應量好和價格低的紅利。但是有些應用場景注定需要高壓運放,圖7示意了在輸入側(cè)和輸出側(cè)適合使用高壓運放的若干情況。
圖7: 若干需要高壓運放的情況。
本文小結(jié)
半導體集成運算放大器從60年代開發(fā)面市,歷經(jīng)半百滄桑到今天還能見到不斷有新的產(chǎn)品推出,見證了人類對自然深入探究和提升自我的不斷追求。近些年國內(nèi)出現(xiàn)了若干家像圣邦一樣以模擬集成電路開發(fā)推廣為主要業(yè)務的新半導體公司,對拓展應用和推動市場競爭做出貢獻;本文介紹的圣邦公司產(chǎn)品的特性均可與已知高性能產(chǎn)品的規(guī)格齊平。在成熟的應用中,包括運放在內(nèi)模擬電路被越來越多地集成到了單片系統(tǒng)中,同時隨著認識的深入和處理能力的加強、也不斷有新的要求需要新的產(chǎn)品來滿足。
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