單片開關(guān)電源瞬態(tài)干擾及音頻噪聲抑制技術(shù)

闡述抑制瞬態(tài)干擾的方法。其改進電路如圖２所示，主要做了以下改進：①將交流兩線輸入方式改成三線輸入方式，Ｇ端接通大地；②采用兩級電磁干擾（ＥＭＩ）濾波器，為避免兩個ＥＭＩ濾波器在產(chǎn)生諧振時的干擾信號互相疊加，應(yīng)使Ｌ２（Ｌ３）≤１０ｍＨ，Ｌ３≥２Ｌ２；③增加Ｃ９和Ｌ４，并將Ｃ８換成０．１μF普通電容器。C7～C9為安全電容，分別與高頻變壓器的引出端相連。其中，C7接初級直流高壓的返回端，C8接次級返回端，C9接初級直流高壓端。它們的共端則經(jīng)過濾波電感L4接通大。L4用鐵氧體磁環(huán)繞制而成。設(shè)計負印制板時，連接C7～C9的各條印制導線應(yīng)短而寬。 采用上述連接方式可保證瞬態(tài)電流被C7～C9旁路掉，而不進入TOP202Y中。此外，反饋繞組接地端和C4的引出端，各經(jīng)一條單獨導線接TOP202Y的對應(yīng)管腳。旁路電容C5直接跨在控制端與源極上，以減小控制端上的噪聲電壓。④增加電阻R6，其阻值范圍在270～620Ω，它與光耦合器發(fā)射極相串聯(lián)。當控制環(huán)路失控時，R6能限制峰值電流，使之小于芯片中關(guān)斷觸發(fā)器的關(guān)斷電流。