JGD24 -5 型固體式限時(shí)保護(hù)繼電器的設(shè)計(jì)方案
當(dāng)反相器的“13” 引腳電壓充電到3.8V 時(shí),反相器開始工作, 其中V5 為5V 穩(wěn)壓管。
因此, V (t) 為3.8V, E 為5V, 代入上式:
3.3 限時(shí)保護(hù)電路的設(shè)計(jì)
為了避免起動(dòng)機(jī)單次過長時(shí)間起動(dòng), 起動(dòng)機(jī)因過熱損壞絕緣層而燒毀定轉(zhuǎn)子, 進(jìn)而損壞起動(dòng)機(jī),在限時(shí)保護(hù)繼電器的輸入端設(shè)計(jì)出限時(shí)保護(hù)電路(如圖6 所示)。輸入端加電, 由于電容器C1 兩端的電壓不能夠突變, 因此, 反相器的“1” 引腳為高電平, 通過兩級(jí)反向門, 反相器的“4” 腳為高電平, 三極管V7 接通, 限時(shí)保護(hù)繼電器開始工作。此時(shí), 通過C1、R5 回路給電容C1 充電, 當(dāng)反相器“1” 腳電壓低于3.8V 時(shí)(即電容C1 兩端的電壓為1.2V), 反相器的“4” 腳輸出低電平信號(hào), 此時(shí)三極管V7 關(guān)斷, 限時(shí)保護(hù)器停止工作。
其中, 充電時(shí)間的計(jì)算公式如下:
3.4 隔離電路的設(shè)計(jì)
限時(shí)保護(hù)繼電器的輸入端控制電流很低, 而輸出電流很大, 所以, 它們之間必須進(jìn)行電隔離, 其隔離電路的原理圖如圖7 所示。本電路中采用振蕩電路的變壓器耦合隔離。變壓器耦合隔離主要由高頻振蕩電路、變壓器耦合電路和整流電路組成。高頻振蕩電路采用雙端推挽自激振蕩輸出, 它比單端輸出更能提高輸入能量的轉(zhuǎn)換效率。提高振蕩頻率, 使其達(dá)到50kHz ~200kHz, 實(shí)現(xiàn)快速響應(yīng)。
隔離變壓器磁芯是本電路的關(guān)鍵器件, 直接關(guān)系到電路的特性和轉(zhuǎn)換效率。根據(jù)材料特性與本電路的特點(diǎn), 并通過反復(fù)試驗(yàn), 采用Mn-Zn 高磁導(dǎo)率鐵氧體材料作為隔離變壓器磁芯。在選擇鐵氧體材料時(shí)要考慮如下幾個(gè)方面:
⑴ 磁導(dǎo)率和飽和磁通密度要高, 可減少線圈匝數(shù), 減小內(nèi)阻, 減小磁環(huán)體積;
⑵ 矯頑力要小, 減小磁滯損失;
⑶ 電阻率要高, 減小渦流損耗;
⑷ 合理選擇居里溫度, 提高磁環(huán)的綜合性能。
隔離電路設(shè)計(jì)的另一個(gè)關(guān)鍵是振蕩電路的設(shè)計(jì), 在本電路中振蕩電路如圖6 所示。在隔離的輸入與輸出確定后, 通過下列方式對振蕩電路進(jìn)行優(yōu)化設(shè)計(jì)。
⑴ 調(diào)整RC 值, 改變振蕩頻率, 測試輸出參數(shù), 并計(jì)算耦合效率η, 直至η最大;
⑵ 調(diào)整變壓器線圈匝數(shù), 測試輸出參數(shù), 并計(jì)算耦合效率直至最大。
同個(gè)隔離電路耦合后的電流信號(hào)為交流信號(hào),經(jīng)過整流橋電路D1、D2 整流后, 為驅(qū)動(dòng)電路提供工作電流。
3.5 驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)
驅(qū)動(dòng)電路直接給輸出電路供電, 輸出電路的功率場效應(yīng)管必須由恒壓源驅(qū)動(dòng)。因此, 選擇高精度限流電阻提供功率管工作所需要的工作電流。工作電流經(jīng)過R13、V11 形成回路, V11 為15V 穩(wěn)壓管, 確保提供給輸出電路的場效應(yīng)管驅(qū)動(dòng)電壓為15V 恒壓源。R14、C5 形成一個(gè)放電回路, 當(dāng)限時(shí)保護(hù)繼電器不工作時(shí), 由于輸出端功率場效應(yīng)管的電容效應(yīng), 會(huì)在功率場效應(yīng)管的G 端積累電荷,會(huì)影響到功率場效應(yīng)管的壽命, 通過R14、C5 形成的回路可以釋放掉功率器件積累的電荷, 保護(hù)功率器件, 見圖8 所示。
3.6 串聯(lián)輸出電路的設(shè)計(jì)
輸出電路包括功率場效應(yīng)管、串聯(lián)保護(hù)回路和吸收電路。
⑴ 功率場效應(yīng)管的選擇
功率場效應(yīng)管是限時(shí)保護(hù)繼電器的核心部件,選擇合適的功率場效應(yīng)管是設(shè)計(jì)成功的關(guān)鍵。本產(chǎn)品中的功率器件可選用的類型主要有功率場效應(yīng)管(MOSFET)、絕緣柵雙極晶體管(IGBT)、雙極晶體管和達(dá)林頓晶體管。MOSFET 耐壓高, 輸出電流大, 漏電流小, 導(dǎo)通管壓降低, 驅(qū)動(dòng)功率小, 體積小, 故作為限時(shí)保護(hù)繼電器的功率器件比較合理。
根據(jù)限時(shí)保護(hù)繼電器的應(yīng)用特點(diǎn), 應(yīng)選用低電壓降型的MOSFET.功率器件的類型確定以后, 具體型號(hào)的選擇可根據(jù)額定輸出電壓、額定輸出電流、輸出電壓降、體積及市場情況, 遵循以下原則:
以24V 5A 限時(shí)保護(hù)繼電器為例, 功率器件選用耐壓250V、電流46A 的MOSFET.
⑵ 串聯(lián)保護(hù)回路的設(shè)計(jì)
根據(jù)圖9 的電路原理圖所示, 通過電磁繼電器K 與功率場效應(yīng)管Q1 串聯(lián), 當(dāng)限時(shí)保護(hù)繼電器不工作時(shí), 電磁繼電器K 的觸點(diǎn)斷開, 功率場效應(yīng)管的兩端無電壓。因此, 發(fā)動(dòng)機(jī)系統(tǒng)產(chǎn)生的電磁干擾不會(huì)對功率場效應(yīng)管Q1 產(chǎn)生影響; 當(dāng)限時(shí)保護(hù)繼電器加電工作時(shí), 電磁繼電器的吸合時(shí)間為10ms, 而功率場效應(yīng)管的吸合時(shí)間為延時(shí)濾波時(shí)間200ms, 因此, 吸合時(shí)電磁繼電器K 在不帶電的情況下先吸合; 當(dāng)限時(shí)保護(hù)繼電器斷電時(shí), 由于功率場效應(yīng)管的關(guān)斷時(shí)間快, 為2.5ms, 因此, 關(guān)斷時(shí)電磁繼電器K 在不帶電的情況下后關(guān)斷, 通過此電路設(shè)計(jì), 可確保電磁繼電器不會(huì)出現(xiàn)帶電切換的情況, 即不會(huì)出現(xiàn)電弧情況, 可確保電磁繼電器K 穩(wěn)定工作。
⑶ 吸收電路
限時(shí)保護(hù)繼電器在關(guān)斷時(shí)產(chǎn)生的干擾電壓峰值較高, 因此, 在輸出電路中增加吸收電路對功率場效應(yīng)管Q1 進(jìn)行保護(hù), 本電路中采用VRC 吸收電路。其中, V12 為快恢復(fù)二極, 管R15 為功率電阻, C6 為高頻無感電容。Q1 導(dǎo)通時(shí), V12 反偏,C6 通過R15 放電, R 消耗能量并限制放電電流;Q1 關(guān)斷時(shí), C6 通過V12 吸收干擾電壓, 使Q1 的尖峰電壓不會(huì)過高。
Q1 在關(guān)斷時(shí)產(chǎn)生的干擾電壓較高, 可由下式進(jìn)行計(jì)算:
式中, Vcep為集-射極間的尖峰電壓, 單位為V; Vcc為負(fù)載電源電壓, 單位為V; L 為主電路和引線電路電感之和, 單位為H; di/dt 為MOSFET集電極電流變化速率, 單位為A/s.
由此可見, 在大電流、關(guān)斷速度很快時(shí), 尖峰更大。因此, 在輸出電路中增加吸收電路對MOSFET進(jìn)行保護(hù)。VRC 吸收電路中R、C 由下式進(jìn)行計(jì)算:
4 結(jié)束語
本文介紹了固體式限時(shí)保護(hù)繼電器的電路設(shè)計(jì), 并詳細(xì)介紹了輸入電路設(shè)計(jì)、延時(shí)濾波電路設(shè)計(jì)、限時(shí)保護(hù)電路設(shè)計(jì)、隔離電路設(shè)計(jì)、驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)、串聯(lián)輸出電路設(shè)計(jì), 并經(jīng)過技術(shù)攻關(guān), 研制出JGD24 -5 型固體式限時(shí)保護(hù)繼電器。經(jīng)試驗(yàn)驗(yàn)證, 其各項(xiàng)技術(shù)指標(biāo)均達(dá)到了該方案的設(shè)計(jì)要求。(作者:劉凱,趙輝)
絕緣電阻測試儀相關(guān)文章:絕緣電阻測試儀原理 熱保護(hù)器相關(guān)文章:熱保護(hù)器原理
評論