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通過新一代電源管理器件滿足嚴(yán)格的空間限制要求

作者: 時(shí)間:2013-07-29 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

TL431電壓基準(zhǔn)

電壓基準(zhǔn)系列完善了恩智浦的電源管理產(chǎn)品組合,針對(duì)TL431的2.495V,這些都是隔離開關(guān)式電源(SMPS)應(yīng)用的理想選擇。該系列采用2.9 x 1.3 x 1mm SOT23封裝,符合AEC-Q100標(biāo)準(zhǔn),即汽車IC的臨界應(yīng)力測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)。

應(yīng)用示例

i - 用于NAND閃存的LD6806 LDO

如圖5所示,LD6806為NAND閃存提供非常低的壓降電壓,使其非常適合于電池供電的應(yīng)用。這類應(yīng)用中的壓差非常小,隨電池的放電還將減少。LD6806也可置于負(fù)載點(diǎn)旁,通過PCB走線補(bǔ)償壓降。

圖5 – 為NAND閃存供電的LD6806

LD68xx系列LDO也可以用來在Cortex-M0微控制器方案應(yīng)用中提供幾毫安的電流,也可用于需要幾百毫安的具有眾多I/O和外設(shè)功能的應(yīng)用(見圖6)。

圖6 - LD6806 LDO和Cortex-M0 LPC810 MCU

ii-用于微控制器的LD6938 LDO

LD6938雙LDO可以為跨越兩個(gè)電壓域的微控制器供電:例如,在基于LPC3220 ARM9內(nèi)核的微控制器應(yīng)用中提供1.2V和3.3V(見圖7)。

圖7 - LD6938 LDO和ARM9 LPC3220 MCU

iii - 針對(duì)CMOS傳感器的LD6805K LDO和DC6M 降壓

組合使用LDO和器件的典型便攜式應(yīng)用如圖8所示,其中LD6805K LDO和DC6M 降壓為攝像頭應(yīng)用中的CMOS傳感器供電。

圖8 - 為CMOS傳感器供電的LD6805K和DC6M

DC6M為CMOS傳感器的數(shù)字內(nèi)核和I/O部件提供高效電源。DC6M PCB尺寸極小,不僅因?yàn)槠湫酒?jí)封裝,而且還因?yàn)槠?MHz的開關(guān)頻率,從而允許使用非常小的外部元件。LD6805的高PSSR意味著供給CMOS傳感器的模擬電壓不會(huì)有任何電源噪聲。此外,DC6M提供出色的紋波性能,這也有助于盡可能降低噪聲。

智能世界的技術(shù)

為智能世界開發(fā)高效節(jié)能和功能豐富的移動(dòng)互聯(lián)便攜式設(shè)備,所面臨的重要挑戰(zhàn)是開發(fā)推出尖端電源管理技術(shù)。恩智浦結(jié)合世界一流水平的制造能力(包括強(qiáng)大的芯片開發(fā)和應(yīng)用專業(yè)知識(shí)),面向各類市場和眾多便攜式應(yīng)用客戶,不斷推出先進(jìn)的電源管理解決方案。

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