大功率電壓型逆變器新型組合式IGBT過流保護(hù)方案

引言

隨著電力電子器件制造技術(shù)的發(fā)展，高性能、大容量的絕緣柵雙極晶體管(IGBT)因其具有電壓型控制、輸入阻抗大、驅(qū)動功率小、開關(guān)損耗低及工作頻率高等特點(diǎn)，而越來越多地應(yīng)用到工作頻率為幾十kHz以下，輸出功率從幾kW到幾百kW的各類電力變換裝置中。IGBT逆變器中最重要的環(huán)節(jié)就是高性能的過流保護(hù)電路的設(shè)計。專用驅(qū)動模塊都帶有過流保護(hù)功能。一些分立的驅(qū)動電路也帶有過電流保護(hù)功能。在工業(yè)應(yīng)用中，一般都是利用這些瞬時過電流保護(hù)信號，通過觸發(fā)器時序邏輯電路的記憶功能，構(gòu)成記憶鎖定保護(hù)電路，以避免保護(hù)電路在過流時的頻繁動作，實(shí)現(xiàn)可取的過流保護(hù)。本文分析了大功率可控整流電壓型逆變器中封鎖驅(qū)動及整流拉逆變式雙重保護(hù)電路結(jié)構(gòu)。

IGBT失效原因和保護(hù)方法

IGBT失效原因分析

引起IGBT失效的原因有：

1)過熱損壞集電極電流過大引起的瞬時過熱及其它原因，如散熱不良導(dǎo)致的持續(xù)過熱均會使IGBT損壞。如果器件持續(xù)短路，大電流產(chǎn)生的功耗將引起溫升，由于芯片的熱容量小，其溫度迅速上升，若芯片溫度超過硅本征溫度(約250℃)，器件將失去阻斷能力，柵極控制就無法保護(hù)，從而導(dǎo)致IGBT失效[1]。實(shí)際運(yùn)行時，一般最高允許的工作溫度為130℃左右。

2)超出關(guān)斷安全工作區(qū)引起擎住效應(yīng)而損壞擎住效應(yīng)分靜態(tài)擎住效應(yīng)和動態(tài)擎住效應(yīng)。IGBT為PNPN4層結(jié)構(gòu)，其等效電路如圖1所示。體內(nèi)存在一個寄生晶閘管，在NPN晶體管的基極與發(fā)射極之間并有一個體區(qū)擴(kuò)展電阻Rs，P型體內(nèi)的橫向空穴電流在Rs上會產(chǎn)生一定的電壓降，對NPN基極來說，相當(dāng)于一個正向偏置電壓。在規(guī)定的集電極電流范圍內(nèi)，這個正偏置電壓不大，對NPN晶體管不起任何作用。當(dāng)集電極電流增大到一定程度時，該正向電壓足以使NPN晶體管開通，進(jìn)而使NPN和PNP晶體管處于飽和狀態(tài)。于是，寄生晶閘管導(dǎo)通，門極失去控制作用，形成自鎖現(xiàn)象，這就是所謂的靜態(tài)擎住效應(yīng)。IGBT發(fā)生擎住效應(yīng)后，集電極電流增大，產(chǎn)生過高功耗，導(dǎo)致器件失效。動態(tài)擎住效應(yīng)主要是在器件高速關(guān)斷時電流下降太快，dvCE/dt很大，引起較大位移電流，流過Rs，產(chǎn)生足以使NPN晶體管開通的正向偏置電壓，造成寄生晶閘管自鎖[2]。

3)瞬態(tài)過電流IGBT在運(yùn)行過程中所承受的大幅值過電流除短路、直通等故障外，還有續(xù)流二極管的反向恢復(fù)電流、緩沖電容器的放電電流及噪聲干擾造成的尖峰電流。這種瞬態(tài)過電流雖然持續(xù)時間較短，但如果不采取措施，將增加IGBT的負(fù)擔(dān)，也可能會導(dǎo)致IGBT失效。

4)過電壓造成集電極 發(fā)射極擊穿。

5)過電壓造成柵極 發(fā)射極擊穿。整流拉逆變式組合保護(hù)方案

IGBT保護(hù)方法

當(dāng)過流情況出現(xiàn)時，IGBT必須維持在短路安全工作區(qū)(SCSOA)內(nèi)。IGBT承受短路的時間與電源電壓、柵極驅(qū)動電壓以及結(jié)溫有密切關(guān)系。為了防止由于短路故障造成IGBT損壞，必須有完善的故障檢測與保護(hù)環(huán)節(jié)。一般的檢測方法分為電流傳感器和IGBT欠飽和式保護(hù)。

1)封鎖驅(qū)動信號

在逆變電源的負(fù)載過大或輸出短路的情況下，通過逆變橋輸入直流母線上的電流傳感器進(jìn)行檢測。當(dāng)檢測電流值超過設(shè)定的閾值時，保護(hù)動作封鎖所有橋臂的驅(qū)動信號。這種保護(hù)方法最直接，但吸收電路和箝位電路必須經(jīng)特別設(shè)計，使其適用于短路情況。這種方法的缺點(diǎn)是會造成IGBT關(guān)斷時承受應(yīng)力過大，特別是在關(guān)斷感性超大電流時，必須注意擎住效應(yīng)。

2)減小柵壓

IGBT的短路電流和柵壓有密切關(guān)系，柵壓越高，短路時電流就越大。在短路或瞬態(tài)過流情況下若能在瞬間將vGS分步減少或斜坡減少，這樣短路電流便會減小下來，當(dāng)IGBT關(guān)斷時，di/dt也減小。集成驅(qū)動電路如EXB841或M579xx系列都有檢測vCES電路，當(dāng)發(fā)現(xiàn)欠飽和時，柵壓箝位到10V左右，增大vCES，限制過電流幅值，延長允許過流時間。短路允許時間tsc和短路電流Isc同柵極電壓vG的關(guān)系如圖2所示。

整流拉逆變式組合保護(hù)方案

3.1逆變部分保護(hù)

本設(shè)計逆變器為半橋式結(jié)構(gòu)，串聯(lián)諧振負(fù)載，驅(qū)動采用IR公司的IR2110半橋驅(qū)動芯片。IR2110電路簡單，成本低，適用于中大功率IGBT，實(shí)驗(yàn)結(jié)果也驗(yàn)證了IR2110驅(qū)動中大功率IGBT的可行性。IR2110芯片有一個封鎖兩路驅(qū)動的SD輸入端，當(dāng)此引腳為高電平時，立刻封鎖兩路輸出，如圖3所示。

電壓型逆變器引起短路故障的原因有：

1)直通短路橋臂中某一個器件(包括反并二極管)損壞;或由于控制電路，驅(qū)動電路的故障，以及干擾引起驅(qū)動電路誤觸發(fā)，造成一個橋臂中兩個IGBT同時開通。