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線上芯片增加SiP封裝的芯片堆疊選擇

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作者:John Baliga 時間:2006-11-29 來源:半導(dǎo)體國際 收藏

 

  2004年11月在IMAPS召開的國際微電子研討會上,SiP協(xié)會的研究者展示了他們正在開發(fā)的最新技術(shù),這種新的技術(shù)能增加堆疊芯片的可選數(shù)量,他們的一體式單系統(tǒng)采用的是線上芯片技術(shù),這種技術(shù)不需要金字塔形的堆疊,它允許使用V形堆疊,從而增加無源芯片集成的選擇數(shù)量。
  堆疊主要用于節(jié)省空間,即那些芯片彼此之間或與芯片外界之間不需要進行高密度互連的情形。采用堆疊的方式能節(jié)省空間并節(jié)約封裝費用。通常的情況下,芯片排列一般采用金字塔形式(見圖),因為采用這種形式,金線鍵合能十分容易進行。


  人們通過添加層間材料、旋轉(zhuǎn)芯片在一次堆疊中集成更多的同樣尺寸的芯片等技術(shù),一直在發(fā)展著堆疊芯片的概念,V形堆疊有希望減小空間,縮短金線鍵合的長度。為了實現(xiàn)線上芯片集成技術(shù),他們使用住友塑料的階材料來進行工藝優(yōu)化。
  圓片減薄到最后要求的厚度后,需要在圓片的背面粘上一層厚度小于20祄的材料,然后將其加熱b階材料。在劃片之后的粘片工序中,當芯片放置在金線鍵合芯片的頂端時,對每一個芯片進行加熱。融熔狀態(tài)的材料黏性低,起著對金線密封的作用。固化以后,這種材料將成為粘片的粘合劑。
  對于圓片上的b階材料,還沒有發(fā)現(xiàn)在圓片劃片時有何異常報告。人們小心控制鍵合金線的弧形高度,并且嚴格監(jiān)控內(nèi)部芯片密封劑的黏性。
  在對DRAM的芯片彼此堆疊效果的測試中,X射線分析發(fā)現(xiàn)金線變形或有孔隙。人們相信,在CoW鍵合工藝中,鍵合金線為空氣提供了逸出的路徑。
  人們使用這種封裝,還成功集成了無源器件。唯一需要強調(diào)的是,需要將無源器件減薄到與芯片同樣的厚度。





關(guān)鍵詞: 封裝

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